原標題：“華為開始研發IGBT，正在挖人”！一則消息令芯片股沸騰，什么是IGBT？

　　今日（11月29日），有媒體報道稱，華為已經開始研發IGBT，目前正從某國內領先的IGBT廠商中挖人，對此，中證君尚未證實這一消息。

　　但消息一出，已讓不少投資者感覺到IGBT的投資潛力，微博上還有評論開始猜測華為瞧得上哪家企業，會從國內哪家IGBT廠商挖人。

　　受利好因素刺激，功率半導體概念股今日逆勢上漲。截至11月29日收盤，臺基股份股價漲停，此外，捷捷微電、揚杰科技等漲逾4%，華微電子漲逾2%。

　　國內一位半導體行業人士對中證君分析稱，在功率半導體領域，中國企業處于低端和弱勢地位，市場被英飛凌、安森美、安世等歐美供應商壟斷。這些功率器件在電子產品里應用廣泛，市場空間非常大。只要用到電的器件均會用到功率器件，而IGBT不僅是功率器件的一個種類，還是非常重要和關鍵的器件。華為海思已經做了很多芯片，即使華為做IGBT也是正常的，目前國內相關企業非常少，發展的潛力和空間很大。

　　IGBT被稱為電子行業里的“CPU”

　　IGBT全名叫絕緣柵雙極型晶體管。

　　簡單講是一個非通即斷的開關，但能承受幾十到幾百伏電壓、幾十到幾百安電流、每秒鐘開關頻率最高達幾萬次。

　　采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，具有高效節能和綠色環保的特點，它的應用非常廣泛，小到家電、大到飛機、艦船、交通、電網等戰略性產業，都會用到IGBT，被稱為電子行業里的“CPU”。

　　市場人士指出，IGBT誕生于20世紀80年代，進入工業應用時間較晚，雖然目前占整體功率半導體分立器件市場份額仍然不大，但它代表了未來的發展方向，市場規模增長很快。

　　IGBT依賴進口 

　　華為自研保障供應鏈安全

　　中國大陸功率半導體市場占世界市場約50%，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市場上，90%以上主要依賴進口，基本被國外歐美、日本企業壟斷。

　　根據華為此前公布的2018年核心供應商目錄，英飛凌（infineon）是華為IGBT的核心供應商。公開資料顯示，英飛凌每年向華為的銷售額約為1億美元，其中主要產品為IGBT芯片。英飛凌總部位于德國，是全球功率半導體龍頭。

　　目前，全球 IGBT主要的供應商包括英飛凌、恩智浦、富士電機、東芝、三菱、意法半導體等歐美以及日本的企業。從電壓上分類，英飛凌占據了600-1700V 范圍中 IGBT 的頭把交椅，而恩智浦則是占據了低壓 IGBT 的市場第一，2500V以上的高壓則主要由三菱提供，中國中車受益于高鐵對大功率IGBT的需求，在 4500V 以上的產品上市場份額位列全球第五。整體來講，中國IGBT產業還很薄弱。

　　IHS Markit 2018年報告數據顯示，在2017年度 IGBT 模塊供應商全球市場份額排名中，英飛凌排名第一。

　　來源：斯達股份招股書

　　2019年5月，有報道稱，英飛凌曾對華為暫停供貨。不過，英飛凌澄清了該傳聞，英飛凌在電郵發送的聲明中表示：“英飛凌向華為提供的絕大多數產品不受美國出口管制法律的限制，因此將繼續發貨。”任正非也在當時的媒體專訪中辟謠稱德國芯片廠商英飛凌沒有停止供貨。

　　從供應鏈安全角度，華為對IGBT展開自研毫不令人意外。

　　國產IGBT廠商都有哪些？

　　近年來，我國IGBT產業化水平有了一定提升，比亞迪微電子、中車時代電氣等企業有不錯的表現。

　　根據集邦咨詢《2019中國IGBT產業發展及市場報告》，2016 年，國內IGBT市場規模達 105.4億元。2017年中國IGBT市場規模預計為 128億人民幣，2018年中國IGBT市場規模預計為153億人民幣，相較2017年同比增長19.91%。受益于新能源汽車和工業領域的需求大幅增加，中國IGBT市場規模仍將持續增長，到2025年，中國IGBT市場規模將達到522億人民幣，年復合增長率達19.11%。

　　國金證券研報稱，目前國內IGBT產業相對薄弱，但處在快速發展階段，已經形成了相對完整的IGBT產業鏈。未來隨著國內新能源車的放量，中國 IGBT 企業將迎來快速發展及進口替代的良好機遇，看好國內IGBT龍頭公司。

　　中國半導體行業協會今年5月發布了2018年中國十大半導體功率器件企業。揚杰科技、華微電子、蘇州固锝、捷捷微電這四家A股公司躋身前十強。

　　據媒體報道，比亞迪考慮讓IGBT業務獨立進行IPO。

　　集邦資訊報告顯示，比亞迪微電子憑借擁有終端的優勢，取得中國車用IGBT市場超過兩成的市占率，已成為中國銷售額前三的IGBT供應商。

　　IGBT模組廠商斯達股份近日已經過會，即將登陸上交所主板。其招股書介紹，公司目前已成為少數實現IGBT大規模生產的國內企業之一，是國內多家知名工業控制企業的主要 IGBT 模塊供應商。公司自主研發設計的 IGBT 芯片及快恢復二極管芯片已經實現量產，在一定程度上化解了公司在芯片供應上依賴國外供應商的風險。公司在600V-1700V IGBT 模塊的技術水平及生產規模上均處于領先地位。

　　車用市場上，中車時代電氣的IGBT業務有望在今年實現首次盈利。光大證券表示，港股中車時代電氣今年上半年IGBT業務收入約 3 億元，全年營收有望達到7億元左右，該業務有望全年首次實現盈利。公司IGBT二期工廠預計明年下半年正式投產，帶來電動車相關產品的產能提升。

　　在電網市場方面，今年10月份，國電南瑞宣布與國家電網有限公司下屬科研單位全球能源互聯網研究院有限公司共同投資設立南瑞聯研功率半導體有限責任公司，實施IGBT模塊產業化項目，項目投資總額為16.44 億元，建設期42個月。中信證券稱，電網側聚焦高壓IGBT，產品進口依賴大。高壓IGBT產品下游應用主要包括電網、軌交、風力發電等領域，是國內高端制造領域亟待突破的核心元器件。

　　據工信部網站10月發布的消息，工信部復函政協十三屆全國委員會第二次會議第2282號（公交郵電類256號）提案表示，將持續推進工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業發展。下一步，工信部和相關部門將繼續加快推進開放發展，引導國內企業、研究機構等加強與先進發達國家產學研機構的戰略合作，進一步鼓勵我國企業引進國外專家團隊，促進我國工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業研發能力和產業能力的提升，此外，積極部署新材料及新一代產品技術的研發。

　　卡位碳化硅基IGBT

　　或迎爆發式增長

　　業內人士普遍認為，硅基IGBT逼近材料特性極限，技術升級迫在眉睫。

　　第三代半導體材料碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件更理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，無論是英飛凌、ST等全球功率半導體巨頭還是比亞迪微電子、中車時代電氣等國內功率廠商都重注該領域，同樣，開始向功率半導體領域進軍的華為也不例外。

　　據天眼查顯示，今年8月，華為公司旗下哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股10%。山東天岳是專業從事碳化硅和藍寶石單晶生長和襯底加工的高新技術企業。據山東天岳介紹，今后可以廣泛應用于大功率高頻電子器件、半導體發光二極管（LED）。

　　國金證券研報介紹，未來 IGBT 將向更低的開關損耗、更高的電流密度以及更高的工作溫度發展，隨著數萬伏高壓、高于 500 ℃的高溫、高頻、大功率等需求的提出，硅基IGBT的性能已經逼近材料特性極限，因此碳化硅（SiC）基IGBT將站上歷史舞臺。

　　國金證券稱，未來5-10年，在600V以上的高頻高壓領域，SiC-IGBT會開始在某些特定的應用場景中滲透，如純電動車中的車載充電器以及數據中心供電單元（在車載充電器中，SiC-IGBT可以縮小充電器體積約 50%， 同時可以提升充電效率以及減少充電時間，使用期間能量效率提升5%）。預測至2022 年，SiC元器件的市場規模約10億美元，2018-2020年CAGR 為28%，而2020年之后市場規模加速增長，2020-2022年復合增長率將達到40%。

　　不少功率半導體廠商已經開始提前卡位。

　　今天漲停的臺基股份今年8月曾披露定增方案，擬募資不超過7億元，投入新型高功率半導體器件產業升級項目。定增項目包括 IGBT模塊封測線（兼容SiC等第三代寬禁帶半導體功率器件） 、高功率半導體脈沖功率開關生產線、晶圓線擴建項目（配合固態脈沖開關）和新型高功率半導研發和營銷中心項目。

　　斯達股份招股書也介紹，在大力推廣常規 IGBT 模塊的同時，依靠自身的專業技術，積極布局寬禁帶半導體模塊（SiC 模塊、GaN 模塊），不斷豐富自身產品種類，加強自身競爭力，進一步鞏固自身行業地位。公司表示，目前已經開發出應用于光伏的SiC器件模塊，供客戶批量使用，車用 SiC 模塊已完成樣品認證。

　　編輯：任曉 曹帥

責任編輯：王帥