原標題:全球首款128層QLC閃存武漢誕生
長江日報
長江日報訊(記者楊佳峰 通訊員華?。?月13日,長江存儲最新128層QLC 3D NAND閃存,宣布在武漢光谷研發成功,這是全球首款128層QLC閃存。目前,該閃存已通過多家知名控制器企業在固態硬盤等終端存儲產品上的驗證。
“這款產品已經達到全球主流產品的位置,表明中國芯片產品在國際市場已由跟跑進入并跑時期。”華中科技大學計算機學院院長、信息存儲系統教育部重點實驗室副主任馮丹教授表示,雖然國外現在最新的256層都有了,但128層依然是世界主流產品,能夠躋身國際主流芯片存儲產品的位置,對于中國而言意義重大。
馮丹表示,制造存儲芯片如同做樓房,別人的樓房已經很高了,房間的密度也很大,而中國的樓房不僅矮,而且密度也??;過去這方面與國外差距較大,國外已做出64層,我們還在做32層?,F在128層QLC芯片作為主流產品已經跟國外一樣了,達到了國際水平,意義重大。
是上一代64層單顆芯片容量5.33倍
3D NAND即三維閃存技術。過去,人們用到的存儲芯片是平面的,相當于地面停車場,而三維閃存芯片是立體的,就像是立體停車場。同樣的“占地面積”之下,立體芯片能夠容納更多倍數據量。此次先于業界發布的128層閃存芯片“X2-6070”,擁有業界最高的存儲密度、傳輸速度和單顆閃存芯片容量,擁有128層三維堆棧,每個存儲單元可存儲4字位(bit)的數據,共提供1.33Tb的存儲容量。
如果將記錄數據的0或1比喻成數字世界的小“人”,一顆長江存儲128層QLC芯片,相當于提供3665億個房間,每個房間住4“人”,共可容納約14660億“人”居住,是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
據業界分析,QLC芯片,更適合作為大容量存儲介質,更適用于AI計算、機器學習、實時分析和大數據中的讀取密集型應用。
供應鏈不掉“鏈”,物流公司班車直達武漢
2018年底,長江存儲第一代32層三維閃存芯片量產。2019年9月,首次基于Xtacking架構的64層三維閃存芯片量產。
長江存儲首席執行官楊士寧表示,作為閃存行業的新進入者,長江存儲用短短3年時間,將中國的三維存儲芯片推向了128層高度。“這是數千名研發人員汗水的凝聚,也是全產業上下游通力協作的成果”。
疫情暴發之初,企業立下目標:“零感染、不停產”。不停產,如何保障供應?
據了解,企業提前制定2個月的運輸計劃,以及提前14天預約確認具體交通工具、提前辦理好防疫指揮部認可的貨運通行證,并提前1天制定第二天的運輸實戰計劃,每日滾動式地進行監控和計劃更新,以確保運輸生命線暢通,并與物流公司開通直達武漢的貨運班車,駕駛司機采取高度嚴密的保護和防控措施,身著全套防護服,在湖北境內不下車、不離開駕駛室,確保司機健康安全的情況下,極力保障物流的生命線暢通。
從64層到128層躍升,一半時間在疫情中
楊士寧介紹:“從64層量產至128層研發成功,僅相隔了7個月,還有一半時間是在疫情之中。”
長江存儲目前員工人數已突破5000人,研發人員約占50%。數千研發人員的生產研發在疫情中持續,在返崗隔離觀察、核酸檢測、日常體溫檢測、口罩佩戴、用餐規范、辦公規范、洗手規范政策落實下,助力員工保持好的身體和精神狀態,對于堅守在一線崗位的員工,給予一定的鼓勵和褒獎,線上團建和培訓一直未斷。
伴隨武漢交通逐步恢復,該企業當前已達到100%產能利用率,全員全面復工。
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實現全球領先必須突破光刻機技術
我國對光刻機使用技術的消化吸收和提升取得了很大進步
“芯片技術包括設計和制造兩個環節,在設計上我國并不落后,但在制造上與國際差距很大?!?月13日,華中科技大學武漢光電國家研究中心甘棕松教授接受長江日報記者采訪時表示,高端閃存芯片過去我國主要依賴進口,現在長江存儲研制出128層QLC閃存芯片,這對我們國家而言的確是個巨大進步。該存儲芯片雖然是全球首款,但并非全球最領先。在芯片制造技術上,我國與國外差距依然較大,這個差距就是被“光刻機”卡住了脖子。
甘棕松坦言,就芯片設計而言,我國華為海思等均掌握了芯片設計的核心技術。制約我國芯片發展的主要是制造能力,尤其是缺乏高端光刻機。目前,國際光刻機技術已經發展到了第五代,高端光刻機全部來自荷蘭ASML公司。荷蘭第五代極深紫外光刻機禁止向我國出口是眾所周知的事實。2018年中芯國際耗資1億歐元訂購的我國唯一一臺第五代極深紫外光刻機,原定于2019年初交付,但至今也沒有到貨。在這種情況下,長江存儲只能使用價格為7200萬美元1臺的第四代深紫外光刻機,用第四代深紫外光刻機就能夠生產出128層QLC 3D NAND閃存芯片并且取得了很多優異的性能是個了不起的成就,這說明我國對光刻機使用技術的消化吸收和提升取得了很大進步。
但是,長江存儲相比于其競爭對手韓國三星則存在明顯的軟肋,三星已經從荷蘭獲得了最先進的第五代極深紫外光刻機。我國在沒有最先進光刻機的加持下,保持當前優勢并最終取得對競爭對手的超越,僅僅靠提升光刻機使用技能研發光刻工藝是完全不夠的。
第六代光刻機樣機取得突破
據悉,中國在2008年就已經啟動國產化第五代極深紫外光刻機的研制計劃,希望在2030年實現目標。該計劃瞄準的是第五代極深紫外光刻機,但是荷蘭ASML公司目前已經啟動了新版本第五代極深紫外光刻機的研制,并計劃于2022年對外供貨。新版本第五代極深紫外光刻機可實現2納米光刻工藝,可制造的芯片密度是舊版本的2倍以上,也就是說我國的第五代極深紫外光刻機還沒有國產化成功,技術就已經落伍了。
光刻機有沒有彎道超車的可能?“我們團隊已經研制出了第六代雙光束超分辨光刻機的樣機。”甘棕松介紹,第五代極深紫外光刻機很難復制,所以才有荷蘭ASML公司揚言“把圖紙白送給你們也造不出來”, 專項跟隨仿制的思路研制光刻機是幾乎不可能成功的?!拔覀儗Φ谖宕鷺O深紫外光刻機進行了技術顛覆,而這種顛覆正是來自于尋找——為何第五代極深紫外光刻機國產化需要22年的問題”。
據悉,甘棕松團隊研發的第六代雙光束超分辨光刻機,通過解決納米光刻分辨率需要采用短波長紫外光源的關鍵難題,取得了繞過國際原有紫外光刻技術路線的突破。
“相比于荷蘭的第五代極深紫外光刻機,我們研制的第六代雙光束超分辨光刻機的樣機目前離大規模集成電路制造尚有一點差距,這主要受制于資金而不是技術?!备首厮筛嬖V長江日報記者,第六代雙光束超分辨光刻機因為是小型樣機,一次曝光面積不大,但是較低性能版本的設備目前已經在國內實現了售賣。第六代雙光束超分辨光刻機不僅可以解決我國高端光刻機有無問題,而且還能夠以極高的性價比優勢顛覆芯片制造領域的國外技術壟斷。
?。ㄩL江日報記者楊佳峰)
責任編輯:梁斌 SF055
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