快訊:第三代半導(dǎo)體板塊再度高開 聚燦光電領(lǐng)漲

快訊:第三代半導(dǎo)體板塊再度高開 聚燦光電領(lǐng)漲
2020年09月14日 09:29 新浪財(cái)經(jīng)

  9月14日消息,第三代半導(dǎo)體板塊再度高開,截至發(fā)稿,聚燦光電大漲10%,易事特、楊杰科技、華潤微智光電氣等多股走強(qiáng)。

  消息面:

  9月3日有消息指出,中國正在制定在十四五規(guī)劃期間的第三代半導(dǎo)體發(fā)展計(jì)劃,預(yù)計(jì)該計(jì)劃在2020年10月公布。

  與第一代的硅(Si)和第二代的 III-V 族化合物相比,第三代碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有強(qiáng)大的功率處理能力、較高的開關(guān)頻率、更高的電壓驅(qū)動(dòng)能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散熱能力。

  通俗一些,便是耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導(dǎo)電性能強(qiáng)、工作速度快、工作損耗低。可以用于光電子、電力電子、微波射頻等領(lǐng)域。

  根據(jù)法國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)查公司Yole數(shù)據(jù),到2024年SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長至20億美元,其中,汽車市場(chǎng)占SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)比重到2024年預(yù)計(jì)將達(dá)50%。

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責(zé)任編輯:王涵

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