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據業內人士稱，全球最大存儲芯片制造商三星電子公司在美國新設了一個研究實驗室，以開發新一代3D DRAM。
該實驗室隸屬于總部位于美國硅谷、負責三星在美國半導體生產的Device Solutions America （DSA），將致力于開發升級的DRAM模型，使三星能夠引領全球3D存儲芯片市場。
去年10月，三星電子透露，其正在為10納米以下的DRAM準備新的3D結構，允許更大的單芯片容量，可以超過100千兆位。
三星電子于2013年在業界首次成功實現了3D垂直NAND閃存的商用化。
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責任編輯：于健 SF069
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