1 恭喜！長晶浦聯功率半導體項目，開業大吉！耐科裝備等企業到場祝賀

2024 年 12 月 5 日，江蘇長晶浦聯功率半導體有限公司在江蘇隆重舉行開業慶典，氣氛熱烈。耐科裝備等眾多知名企業應邀出席，共同見證了這一重要時刻。此次開業活動標志著長晶浦聯一期項目的正式落成，為當地半導體產業的發展注入了新的活力。

在開業典禮上，江蘇長晶浦聯功率半導體有限公司的負責人發表了熱情洋溢的致辭，對各位嘉賓的到來表示熱烈歡迎和衷心感謝。他表示，長晶浦聯將以此次開業為契機，不斷加強技術創新和產品研發，努力提升企業核心競爭力，為客戶提供更加優質的功率半導體產品和解決方案。

作為本次活動的一大亮點，海德半導體封測項目簽約儀式也同期舉行。該項目的簽約將進一步完善當地半導體產業鏈，提高產業配套能力，為推動半導體產業的高質量發展奠定堅實基礎。

耐科裝備等企業代表對江蘇長晶浦聯功率半導體有限公司的開業表示祝賀，并表示將加強與長晶浦聯的合作，共同探索半導體產業的發展新機遇，為行業的繁榮做出積極貢獻。

江蘇長晶浦聯功率半導體有限公司的開業，是當地半導體產業發展的一個重要里程碑。相信在各方的共同努力下，長晶浦聯將不斷發展壯大，成為國內領先的功率半導體企業，為推動我國半導體產業的發展做出更大的貢獻。

江蘇長晶浦聯功率半導體有限公司是國內功率器件廠家十強企業。功率器件是半導體產業中產值高達200億美金的大板塊，是關系高鐵動力系統、汽車動力系統、消費及通訊電子系統等領域能否實現自主可控的核心零部件。全球功率器件市場規模超過200億美金，年增長率5%左右。

2 傳SK海力士將采用臺積電3nm生產HBM4，三星考慮跟進

據市場傳聞，SK海力士（SK Hynix）為滿足重要客戶的需求，計劃在2025年下半年采用3納米工藝生產第六代高帶寬存儲器（HBM）“HBM4”，而非原先規劃的5納米制程。

這一消息由《韓國經濟新聞》于近日援引半導體業界消息進行報道。據悉，SK海力士已決定與晶圓代工巨頭臺積電合作開發HBM4，主要出貨客戶為英偉達（Nvidia Corp.）。

消息人士透露，SK海力士最快將于2024年3月發布一款采用3納米基礎裸晶的垂直堆疊HBM4原型。目前，英偉達的GPU主要基于4納米HBM技術?；A裸晶位于連接GPU的HBM底部，其作用相當于芯片的大腦。通過堆疊在3納米基礎裸晶上的HBM，預計其效能將較5納米HBM4提升20%至30%。

SK海力士此次決定用3納米裸晶生產HBM4，或進一步拉大與競爭對手三星電子（Samsung Electronics Co.）的差距。據悉，三星原計劃采用自家4納米制程生產HBM4。然而，隨著SK海力士選擇更先進的3納米工藝，三星也面臨了壓力。

據@Jukanlosreve近日在社交平臺上爆料，SK海力士之所以改變策略，選擇臺積電3納米技術制造HBM4，是為了回應三星此前宣布將以4納米生產HBM4的消息。然而，有趣的是，三星目前也在考慮采用3納米工藝生產HBM4，甚至可能同樣選用臺積電的3納米技術。

HBM作為一種高性能存儲器，廣泛應用于高性能計算、數據中心以及人工智能等領域。隨著技術的不斷進步，市場對HBM的需求也在持續增長。SK海力士此次選擇更先進的3納米工藝生產HBM4，不僅有助于提升產品性能，還將進一步鞏固其在高端存儲器市場的地位。

對于三星來說，面對SK海力士的強勢進攻，其也需要盡快做出決策以應對市場競爭。如果三星最終選擇跟進并采用3納米工藝生產HBM4，那么這將是一場在先進制程技術上的直接較量。

另一邊，臺積電作為全球領先的晶圓代工廠商，其3納米工藝已經得到了廣泛認可。SK海力士選擇與臺積電合作，是為了確保HBM4產品的質量和性能。而三星如果也選擇臺積電的技術，則將進一步證明3納米工藝在高端存儲器市場中的重要地位。

（轉自：今日半導體）

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