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半導(dǎo)體板塊7日盤中再度大幅走高，截至發(fā)稿，聚燦光電、乾照光電、聯(lián)建光電（維權(quán)）、長方集團等漲停，揚杰科技漲約15%，臺基股份漲逾11%。
近日，有媒體報道稱，權(quán)威消息人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。
據(jù)了解，第三代半導(dǎo)體是指半導(dǎo)體材料的變化，從第一代、第二代過渡到第三代。第一代半導(dǎo)體材料是以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，目前大部分半導(dǎo)體是基于硅基的。第二代半導(dǎo)體材料是以砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）為代表，是4G時代的大部分通信設(shè)備的材料。第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表，是5G時代的主要材料。
從材料分類看，第三代半導(dǎo)體材料主要有四類，主要用途如下：
1． 一是III 族氮化物，典型代表GaN，在軍事領(lǐng)域GaN基微波功率器用于雷達、電子對抗、導(dǎo)彈和無線通信通；在民用商業(yè)領(lǐng)域用于基站、衛(wèi)星通信、有線電視、手機充電器等小家電。
2． 二是SiC，民用領(lǐng)域電動汽車、消費電子、新能源、軌道交通等領(lǐng)域的直流、交流輸變電、溫度檢測控制等。例如三菱電機在逆變器用用碳化硅開發(fā)出世界最小馬達。2015年豐田汽車用碳化硅MOSFET的凱美瑞試驗車，逆變器開關(guān)損耗降低30%。軍用領(lǐng)域用于噴氣發(fā)動機、坦克發(fā)動機、艦艇發(fā)動機、風(fēng)洞、航天器外殼的溫度、壓力測試等。
3．三是寬禁帶氧化物，典型代表氧化鋅ZnO，用于壓力傳感器、記憶存儲器、柔性電子器件，目前技術(shù)和應(yīng)用不成熟，主要產(chǎn)品有發(fā)光二極管、激光、納米發(fā)電機、納米線晶體管、紫外探測器等。
4． 四是金剛石，用于光電子、生物醫(yī)學(xué)、航空航天、核能等領(lǐng)域的大功率紅外激光器探測器，技術(shù)和應(yīng)用還在開發(fā)中。
從應(yīng)用領(lǐng)域看，第三代半導(dǎo)體主要有三個應(yīng)用方向：光電子、電力電子、微波射頻。
1．光電子——激光顯示、環(huán)境監(jiān)測、紫外光源、半導(dǎo)體照明、可見光通信、醫(yī)療健康。
2．電力電子——工業(yè)機電、新能源并網(wǎng)、軌道交通、電動汽車、智能電網(wǎng)、消費電子。
3．微波射頻——遙感、雷達、衛(wèi)星通訊、移動基站。
根據(jù)Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半導(dǎo)體報告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體的銷售收入預(yù)計8.54億美元。未來十年的年均兩位數(shù)增長率，到2029年將超過50億美元。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，到2024年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長至20億美元，其中，汽車市場占SiC功率半導(dǎo)體市場比重到2024年預(yù)計將達50%。
相關(guān)投資標的方面，國信證券指出，
首先，從事第三代化合物半導(dǎo)體最好的商業(yè)模式是IDM模式，推薦關(guān)注士蘭微、揚杰科技。
其次，從工藝看，最受益的是半導(dǎo)體代工廠，推薦關(guān)注華潤微電子。
最后，由于第三代半導(dǎo)體處于發(fā)展初期，很多優(yōu)秀公司暫未上市。相關(guān)上市公司大多數(shù)處于研發(fā)階段，或者產(chǎn)品處于推廣初期，對上市公司收入貢獻很小。目前二級市場適合從概念股的角度選擇投資標的。
責任編輯：逯文云
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