長光華芯850nm 100G PAM4 VCSEL芯片獲業內技術創新獎

長光華芯850nm 100G PAM4 VCSEL芯片獲業內技術創新獎
2024年12月11日 08:59 證券時報網

長光華芯(688048)官方微信公眾號12月9號發布消息,近日,2024年度ICC訊石光通信行業英雄榜頒獎活動在蘇州舉辦,長光華芯850nm 100G PAM4 VCSEL芯片榮獲創新技術獎。

據介紹,ICC訊石·光通信行業英雄榜從光通信產業鏈入手,從參選產品的技術、成本、市場占有率、客戶滿意度和第三方權威驗證等數據選出獲獎產品,經過十一年的發展,訊石英雄榜已成為光通信行業年度頂尖評選盛會之一,其中,創新技術獎旨在表彰2024年度在補短板、填空白或實現國產替代方面具有重要意義的產品。

公司表示,歷經十余年發展,長光華芯建立了從芯片設計、MOCVD(外延)、光刻、解理/鍍膜、封裝測試等完善的一站式IDM全流程平臺,在高速率光通信芯片研發過程中,攻克了二次外延對接工藝、含AL材料外延生長、特殊抗反射設計、腔面鈍化鍍膜等關鍵技術。100G VCSEL產品的開發和量產自主可控,在量產穩定性和可靠性上,相比于代工模式具有顯著產能和質量管控優勢。

長光華芯已形成全面、豐富的通信光芯片產品矩陣,可滿足超大容量的數據通信需求,距離上覆蓋VR、SR、DR、FR等,速率上覆蓋單波25G、50G、100G。可快速解決高端光芯片產能短缺和成本痛點,是短距互聯光芯片一站式IDM解決方案商。

長光華芯專注于研發和生產半導體激光芯片,核心技術覆蓋半導體激光行業最核心的領域,攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術難題,建成了完全自主可控的從芯片設計、MOCVD(外延)、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體激光器等完整的工藝平臺和量產線,擁有2吋、3吋、6吋三大量產線,邊發射EEL、面發射VCSEL兩大產品結構,GaAs砷化鎵、InP磷化銦、GaN氮化鎵三大材料體系,是全球少數幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關鍵制程生產能力的IDM半導體激光器企業之一,面向未來,公司正積極開發演進下一代光芯片平臺技術和產品。

(文章來源:證券時報網)

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