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近期半導(dǎo)體板塊出現(xiàn)了大幅上漲,國產(chǎn)替代正成為核心趨勢,產(chǎn)業(yè)鏈哪些環(huán)節(jié)更值得重視?在中國銀河證券“科技TMT反攻集結(jié)號”直播中,中國銀河證券電子行業(yè)組長高峰帶來主題分享,以下是嘉賓部分觀點,掃碼即可回看全部會議內(nèi)容!
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國內(nèi)半導(dǎo)體國產(chǎn)替代強于半導(dǎo)體周期
近期半導(dǎo)體板塊出現(xiàn)了大幅上漲,主要受到最近一些事件的擾動,同時美國國會也通過芯片和科學(xué)法案,預(yù)計會帶動將近3000億美元的撥款,增加美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)力。所以說國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)替代進一步成為了我們的一個核心趨勢。其實我們在6月份的時候就出過篇深度報告,關(guān)于半導(dǎo)體上游的材料、設(shè)備的國產(chǎn)替代的情況。
半導(dǎo)體產(chǎn)鏈有哪些環(huán)節(jié)是被市場所忽視的?經(jīng)歷了一年的下跌還有哪些標(biāo)的我們現(xiàn)在值得布局的。首先我們看一下,整個國內(nèi)的半導(dǎo)體的發(fā)展邏輯一直都是國產(chǎn)替代要強于半導(dǎo)體的周期或者下游需求的變化,所以國產(chǎn)替代一直都是我們在推薦半導(dǎo)體時候的一個主線。
我們先看一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,因為半導(dǎo)體材料它是半導(dǎo)體底層的基礎(chǔ),全球市場規(guī)模超過了600億美金。從上游的EDA、IP,再到我們所看到的半導(dǎo)體材料比如說硅片、化合半導(dǎo)體、光刻膠、掩模版、電子特氣、CMP還有濕化學(xué)品、靶材等。半導(dǎo)體設(shè)備比如像這個CMP設(shè)備,清洗設(shè)備、離子注入、薄膜沉積設(shè)備、刻蝕機、光刻機,退火等。中游是半導(dǎo)體的制造產(chǎn)業(yè),如果從IC設(shè)計的角度來看它分成邏輯、功率、模擬、數(shù)字等等;從制造的角度來看,主要是晶圓代工,下游是IC封測。它對應(yīng)的是下游半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域,所以半導(dǎo)體材料是一個非常上游領(lǐng)域,也是非常核心的領(lǐng)域。
圖片來源:海洛創(chuàng)意
根據(jù)半導(dǎo)體的工藝流程我們也可以把材料分成兩類,一類就是制造材料,一類封裝材料。制造材料比如像硅片、光刻膠,電子特氣、CMP等,它主要用IC制造。封裝材料主要包括封裝基板,引線框架、塑封材料等是用于IC封裝測試。中國實際上已經(jīng)成為全球第二大半導(dǎo)體材料市場。2020年的全球市場是500多億美金,中國臺灣地區(qū)半導(dǎo)體材料市場規(guī)模120多億美金是全球第一。中國大陸的規(guī)模已經(jīng)超過了韓國接近100億美金市場規(guī)模。中國臺灣、韓國,還有中國大陸三地合計占比超過了市場規(guī)模一半,所以說我們可以看到整個全球半導(dǎo)體制造重心還是在東亞。
從半導(dǎo)體的材料結(jié)構(gòu)來看,我們2020年晶圓制造材料規(guī)模是349億,而且占總材料比例持續(xù)提升,從2015年的55%已經(jīng)提升到了63%。2020年硅片的市場規(guī)模是100多億美金,占了整個晶圓制造材料規(guī)模差不多35%,也是一個最大的半導(dǎo)體材料單一市場。電子特氣和光掩模市場位列第二、第三位,其他的材料其實相對占比會小一點,不到10%,這里包括一些輔助材料,比如說光刻膠、靶材,一些拋光材料等。
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全球處在晶圓產(chǎn)能資本開支快速成長階段
我們看到需求推動下硅片量價齊升,也看到國產(chǎn)替代的趨勢非常明確。因為硅片的供需市場,特別是上游硅片產(chǎn)能一直相對比較緊張,而且供需的缺口可能一直到2025年都會比較緊缺。2020年中國市場規(guī)模同比增速差不多12%,超過全球增速7個百分點。國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場增速非常快,而且我們在先進半導(dǎo)體材料技術(shù)節(jié)點在不斷前移。比如像硅材料和光刻膠的技術(shù)節(jié)點相對會差一點,只達到了0.5微米和0.1微米。但是光掩膜、拋光材料和靶材已經(jīng)達到了28納米節(jié)點,并且有望向14納米進度發(fā)展。工藝化學(xué)品還沒有實現(xiàn)0.25微米的技術(shù)節(jié)點。整體看,國內(nèi)跟國外半導(dǎo)體材料技術(shù)差距還是比較大,其實是有非常大的前進的空間和特別巨大的替代空間。
我們看到現(xiàn)在摩爾定律還在延續(xù),整體來看當(dāng)摩爾定律往下一個技術(shù)節(jié)點流程推進時,整個流片成本會持續(xù)提高,而且很大一部分原因是因為我們半導(dǎo)體的材料價值量提升了。比如說像14、16納米的制程里掩膜版的成本非常高,500萬美左右,但是到了7納米的時候掩膜版已經(jīng)達到了1500萬美元,所以價值量是成倍增長。其實越是先進的工藝,先進的材料的價值量可能就越大,這推動了國產(chǎn)替代的快速爆發(fā)。
圖片來源:海洛創(chuàng)意
單純從大類材料比如硅,第一代的硅,第二代的砷化鎵和磷化銦,第三代氮化鎵和碳化硅,目前來看,硅還是主流。砷化鎵和磷化銦其實也在持續(xù)快速發(fā)展。氮化鎵、碳化硅其實國內(nèi)還處在初級發(fā)展的階段,可能還需要相當(dāng)長的時間來發(fā)展壯大,硅材料還是主要核心。硅片本身也確實呈現(xiàn)一個量價齊升的格局,而且下游特別是新能源、自動駕駛對于硅片的需求是持續(xù)在增長。
我們看到整個硅片市場其實國內(nèi)整體增速是要高全球的,差不多我們近10年的增速超過10%,而且因為現(xiàn)在這幾年全球都處在晶圓產(chǎn)能資本開支快速成長階段,其中尤以國內(nèi)晶圓廠特別明顯。我們把全球整個晶圓廠設(shè)備開支加起來看,未來幾年總體的資本開支超過1500億美金。所以說整個晶圓廠的資本開支決定了硅片市場,帶動了包括半導(dǎo)體設(shè)備材料市場的繁榮。
我們看到國內(nèi)廠商已經(jīng)開始持續(xù)壯大,雖然全球硅片的格局比較壟斷,但是國內(nèi)廠商也是不斷奮起直追,我們也有望看到國內(nèi)硅片廠商開始持續(xù)向高端領(lǐng)域突破。
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重點關(guān)注半導(dǎo)體上游材料、設(shè)備領(lǐng)域
我們再重點介紹下光刻膠,光刻膠是半導(dǎo)體一個比較核心的材料。因為整個曝光包括構(gòu)建晶體電路,在晶圓上的核心。光刻膠從低端到高端,PCB、LCD、半導(dǎo)體都有,高端的就是半導(dǎo)體,特別是我們可以看到一些高端的EVU光刻膠等,這些都是非常貴而且技術(shù)難度也非常高。整體來看,目前國內(nèi)還是LCD和PCB的光刻膠相對來講國產(chǎn)替代比較多,半導(dǎo)體光刻膠相對來講比較差。整體來看國內(nèi)的幾個廠商都已經(jīng)實現(xiàn)了部分光刻膠的國產(chǎn)替代。
還有比較重要的就是掩模版,我們剛才也說了掩膜版是隨著它的制成節(jié)點持續(xù)提升,它整個價值量持續(xù)提高。我們看到國內(nèi)光的掩模版其實大部分都是從LCD切入,雖然說從全球來看IC領(lǐng)域占比是比較高的,但是國內(nèi)半導(dǎo)體的光掩模版市場實際上才剛剛開始。
電子特氣其實是一個比較細分的領(lǐng)域,它基本上也都是被海外的大廠所壟斷。因為它是處于半導(dǎo)體制造的血液,而且是一個耗材,而且它的使用的貫穿了整個半導(dǎo)體的很多流程。如果我們從耗材的比例來看它的占比接近13%,是相當(dāng)大的一部分。所以說其實電子特氣的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣的。我們也看到國內(nèi)的很多特氣廠商都是非常優(yōu)秀的公司,已經(jīng)開始實現(xiàn)了國產(chǎn)替代。所以整個國產(chǎn)替代的環(huán)節(jié),我們覺得非常有價值,是可以持續(xù)續(xù)去重點關(guān)注的領(lǐng)域。特氣其實也是市場相對來講比較忽略的一個環(huán)節(jié)。
我們再看CMP作為拋光研磨的一個重要的耗材。因為整個晶圓在制造過程它的表面的粗糙和平整度是影響集成電路的好壞的核心。CMP它的環(huán)節(jié)從比如拋光液,拋光墊等等都是CMP系統(tǒng)里面比較核心的一個部分。實際上國內(nèi)已經(jīng)開始實現(xiàn)了規(guī)?;奶娲?,我們也是建議重點去關(guān)注CMP材料的環(huán)節(jié)。
最后我們再說一下靶材,靶材因為它是沉積的一個核心材料。靶材整個市場規(guī)模差不多全球有200多億美金,還是相當(dāng)大的一個市場。而且國內(nèi)現(xiàn)在靶材這塊是非常領(lǐng)先的,已經(jīng)做到了臺積電非常核心的制程里。國內(nèi)的靶材也是經(jīng)歷了從平板顯示再到半導(dǎo)體的一個過程。未來靶材可能還會進一步超預(yù)期。
這一輪半導(dǎo)體的行情也是在半導(dǎo)體板塊沉寂了差不多近一年左右的時間,板塊重新迎來一個大的上行機會。我們建議在整個國產(chǎn)替代成為最確定方向而且是最為確定的邏輯之上,半導(dǎo)體板塊本身就在底部,還有很大的上行空間,建議大家重點關(guān)注上游的材料、設(shè)備這些領(lǐng)域。
責(zé)任編輯:陳悠然
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