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IT之家 7 月 24 日消息,半導(dǎo)體材料是一種導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,例如硼、金剛石、鍺、硅、灰錫、銻、硒、碲等,或者 SiC 這種合成材料。
現(xiàn)階段,人類文明現(xiàn)代科技便是建立在以硅為代表的這類半導(dǎo)體材料之上的成果,從太陽能電池到芯片都離不開它,但因?qū)岷推渌蚬枰沧⒍藷o法成為最理想的半導(dǎo)體材料。
7 月 22 日,來自美國麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)和其它機(jī)構(gòu)的科研團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)了一種名為“立方砷化硼”的材料突破了這兩個限制,它既能為電子和空穴提供高遷移率,又有優(yōu)良的電導(dǎo)率,而且還具有極高的導(dǎo)熱特性。
科學(xué)家表示,這是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好的半導(dǎo)體材料,或許放眼未來也會是最好的那個。相關(guān)成果已經(jīng)發(fā)表在近期的《科學(xué)》雜志上,作者欄中包括多位華人,例如麻省理工學(xué)院機(jī)械工程教授陳剛、中科院任志峰(休斯敦大學(xué))等。
▼ DOI:10.1126 / science.abn4290。
當(dāng)然,到目前為止,立方砷化硼還只能在實(shí)驗(yàn)室小規(guī)模量產(chǎn)和測試,而且不均勻。我們還需要做更多的工作來確定立方砷化硼是否能以一種實(shí)用、經(jīng)濟(jì)的形式制造出來,目前來看要想取代地球上無處不在的硅還有很長一段路要走。但研究人員說,即使在不久的將來,這種材料也可能找到一些用途,使其獨(dú)特的特性產(chǎn)生重大影響。
此次的科研成果涉及到麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)、得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校和波士頓學(xué)院的其他 14 所大學(xué)。包括這篇新論文的合著者大衛(wèi)?布羅伊多 (David Broido) 在內(nèi)的早期研究,從理論上預(yù)測這種材料將具有較高的熱導(dǎo)率,并在隨后的工作中證實(shí)了這一預(yù)測。
IT之家了解到,這項工作通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)了陳剛團(tuán)隊在 2018 年提出的一個預(yù)測并完成分析:立方砷化硼對電子和空穴也有很高的遷移率,“這使這種材料真正變得獨(dú)特,”他表示。
他們還表明,這種材料有一個非常好的帶隙(能系,泛指半導(dǎo)體或絕緣體的價帶頂端至導(dǎo)帶底端的能量差距),這一特性賦予了它作為半導(dǎo)體材料的巨大潛力。
這項新工作證實(shí),砷化硼具有高電子和空穴遷移率,具有理想半導(dǎo)體所需的所有主要品質(zhì)。“這很重要,因?yàn)楫?dāng)然在半導(dǎo)體中,我們同時有正電荷和負(fù)電荷。所以,如果你要制造一個芯片,你需要一種電子和空穴阻力都較小的材料,”陳剛表示。
據(jù)介紹,目前普遍使用的硅具有良好的電子遷移率,但空穴遷移率較差,而其他材料(如廣泛用于激光器的砷化鎵)同樣具有良好的電子遷移率,但對空穴不具有良好的遷移率。
“熱量現(xiàn)在是許多電子產(chǎn)品的主要瓶頸,”該論文的主要作者 Shin 稱,“碳化硅正在取得包括特斯拉在內(nèi)的主要電動汽車行業(yè)的青睞,因?yàn)楸M管它電遷移率較低,但其熱導(dǎo)率是硅的三倍。想象一下砷化硼可以達(dá)到什么效果,其熱導(dǎo)率和遷移率比硅高 10 倍。這足以改變游戲規(guī)則。”
Shin 補(bǔ)充道,立方砷化硼的電子特性最初是根據(jù)陳剛團(tuán)隊所做的量子力學(xué)密度泛函理論來預(yù)測的,現(xiàn)在這些預(yù)測已經(jīng)通過在 MIT 進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)得到驗(yàn)證,該實(shí)驗(yàn)使用了光學(xué)檢測方法對他們和休斯頓大學(xué)團(tuán)隊成員制作的樣品進(jìn)行檢測。
研究人員說,這種材料的熱導(dǎo)率不僅是所有半導(dǎo)體中最好的,而且甚至可以在所有材料熱導(dǎo)率中排到第三 —— 僅次于金剛石和富含同位素的立方氮化硼。“現(xiàn)在,我們也從第一原理預(yù)測了電子和空穴的量子力學(xué)行為,這也被證明是正確的”。
“這令人印象深刻,因?yàn)槌耸┲猓覍?shí)際上不知道有任何其他材料具有所有這些特性,”他說。“這是一種具有這些特性的散裝材料。”
當(dāng)然,陳剛也強(qiáng)調(diào),雖然它的熱性能和電性能都已被證明非常出色,但這種材料的許多其他性能還有待測試,例如其長期穩(wěn)定性。
他補(bǔ)充說,“這可能非常重要,人們甚至沒有真正關(guān)注過這種材料。” 現(xiàn)在,砷化硼的理想特性已經(jīng)變得更加清晰,這表明該材料“在許多方面都是最好的半導(dǎo)體”。
責(zé)任編輯:王茂樺
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