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來源：美股研究社
作 者 | Robert Castellano
編譯丨華爾街大事件
新技術，HBM和128GB DDR5，將推動內存市場的復蘇。美光在HBM（高帶寬內存）市場的份額僅為10%。美光尚未生產出128GB DDR5芯片。SK海力士壟斷了大容量內存市場的兩個領域。
韓國DRAM制造商SK海力士和三星電子（OTCPK：SSNLF）新的第二季度初步數據顯示，他們在內存恢復方面領先于美國美光科技（NASDAQ：MU）。
我認為包括ChatGPT在內的生成AI（人工智能）的興起及其對高帶寬內存（“HBM”）的需求一直是DRAM增長的催化劑。我能夠收集到的新數據是，2023 年 HBM 市場份額在 SK 海力士和三星之間平分秋色，占 45%，美光占 10%。
SK 海力士目前專門為英偉達提供 HBM3，用于 H100 Tensor Core GPU。
三星HBM產品進入超級計算機，如英特爾的Aurora Project和美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室的AMD的El Capitan以及AMD的MI300 AI超級芯片。
根據相關報告分析，該分析師預測HBM芯片的銷量將在2023年同比增長40%，在2024年同比增長5%，導致市場好轉期間利潤急劇增長。
HBM 需要復雜的生產工藝和高度先進的技術。HBM的平均售價（ASP）至少是DRAM的三倍。
下圖顯示了美光 2023 財年第三季度的 DRAM 收入。SK海力士報告第二季度DRAM初步收入為58%，而三星僅為3%，美光為0%。SK海力士和三星的收入上升表明，客戶已經大大減少了庫存積壓，并開始再次購買芯片，盡管價格很低。
影響SK海力士強勁收入增長的另一個因素是128GB DDR5芯片的較高平均售價，該公司已經能夠限制平均售價的下降，如圖2所示。SK海力士以預估90%的收益率主導市場。
DDR5的性能是目前廣泛使用的DDR4 DRAM的兩倍，是目前領先的服務器DRAM，也是內存半導體制造商的最大收入來源。估計到 2023年底，DDR5 將占服務器內存需求的 30%。
因此，雖然DDR4 DIMM（雙列直插式內存模塊）的容量最高可達64GB（使用SDP），但基于DDR5 SDP的DIMM是其四倍，達到256GB。
DRAM市場的增長不平衡，因為HBM和DDR5的技術優勢促進了服務器市場的復蘇，該領域需要最大的內存量。
這種復蘇得益于英特爾（INTC），英特爾是服務器中央處理器（CPU）市場的主導頭號玩家，該公司推出了支持DDR5 DRAM的Sapphire Rapids CPU。當然還有英偉達（NVDA），它在服務器AI GPU市場的主導地位。
美光在AI/HBM業務方面進展甚微，計劃于3年初開始量產HBM2024。根據EETimes：
“SK 海力士開發了 MR-MUF 技術，并將其應用于 HBM 產品。該技術提高了 HBM 超過 100，000 個微凸塊互連的質量。此外，與競爭對手相比，這種封裝技術充分增加了凸塊的數量，同時在散熱方面表現出色，因為它采用了具有高導熱性的模制底部填充（MUF）材料。
MR-MUF是指在堆疊芯片時，將半導體芯片連接到電路上，并用稱為“液體EMC”（環氧模塑料）的材料填充芯片和凸塊間隙之間的空間的過程。到目前為止，NCF技術已被用于這一過程。
NCF是一種通過在芯片之間使用一種薄膜來堆疊芯片的方法。與NCF相比，MR-MUF方法的導熱系數約為其兩倍，并且會影響工藝速度和產量。
MR-MUF 封裝對 HBM 芯片的外部結構有重大影響。SK 海力士在創建 50 層 HBM3 時，將一個產品中堆疊的 DRAM 數量從 8（16GB）增加到 12，從而將容量提高了約 3%。
對于DDR5，雖然SK海力士是唯一一家全面生產128GB芯片的公司，三星剛剛開始生產，但MU剛剛推出了96GB芯片。
總體而言，內存衰退可能正在達到最低點，上升將在 2023年下半年開始。
另一個肯定來自ASML最近關于內存公司收入的財報電話會議。ASML （ASML） 報告稱，內存收入占總收入的比例從 2023 年第一季度的 30% 下降到 2023 年第二季度的 16%。
內存預訂量有所改善，為1.4B歐元，上一季度為7.88億歐元（+77%環比）和去年同期為3.38億歐元（同比-59%）。
該分析師重申對美光科技的賣出評級。
責任編輯：李桐
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