12月11日，盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上海”）宣布，其2024年推出的Ultra Fn A等離子增強型原子層沉積爐管設(shè)備（PEALD）已初步通過中國大陸一家半導體客戶的工藝驗證，正在進行最后優(yōu)化和為邁入量產(chǎn)做準備。同時，盛美上海于2022年推出的Ultra Fn A熱原子層沉積爐設(shè)備（Thermal ALD）也已成功通過另一家領(lǐng)先的中國大陸客戶的工藝驗證，性能參數(shù)對標同類國際競品。

盛美上海還宣布，其于2022年推出的Ultra Fn A熱原子層沉積爐設(shè)備（Thermal ALD）也已成功通過另一家領(lǐng)先的中國大陸客戶的工藝驗證，性能參數(shù)比肩同類國際競品，甚至更勝一籌。

盛美上海董事長王暉博士表示：“現(xiàn)代集成電路（IC）的制造過程，越來越依賴具有卓越階梯覆蓋率以及高質(zhì)量的精準薄膜沉積技術(shù)。應(yīng)對諸如氮化碳硅、氮化硅薄膜和高低介電常數(shù)薄膜等沉積材料所帶來的復雜挑戰(zhàn)，需要真正的創(chuàng)新，而盛美上海的研發(fā)團隊憑借其先進的原子層沉積（ALD）平臺和工藝已逐步接近和完成這一目標。我們相信，盛美上海的專有差異化設(shè)計方案能夠解決先進三維結(jié)構(gòu)制造中面臨的難題。”

盛美上海的Ultra Fn A ALD立式爐設(shè)備產(chǎn)品包括熱原子層沉積（熱ALD）和等離子體增強原子層沉積（PEALD）兩種配置，可執(zhí)行硬掩模層、阻擋層、間隔層、側(cè)壁保護層、介質(zhì)填充等多種薄膜沉積任務(wù)，滿足目標工藝應(yīng)用的各種需求。這兩種配置均采用六單元系統(tǒng)，可批量處理多達100片300mm晶圓。該設(shè)備還包括四個裝載端口系統(tǒng)（裝載區(qū)可控制氧氣濃度）、一個集成供氣系統(tǒng)（IGS）和一個原位干法清洗系統(tǒng)，所有設(shè)計均符合SEMI標準。

Ultra Fn A?

等離子增強原子層沉積爐管設(shè)備

盛美上海的Ultra Fn A PEALD設(shè)備當前應(yīng)用沉積氮化硅(SiN) 薄膜。該機具采用雙層管設(shè)計以及氣流平衡技術(shù)，能夠顯著提升晶圓內(nèi)（WIW）和晶圓間（WTW）的均勻性。通過采用等離子增強技術(shù)，該設(shè)備還可有效降低器件的熱預(yù)算。此外，通過微調(diào)前驅(qū)體在前置單元中的存儲和釋放量，能夠達成控制器件的關(guān)鍵尺寸和圖案輪廓。

Ultra Fn A?

熱模式原子層沉積爐管設(shè)備

盛美上海的Ultra Fn A碳氮化硅（SiCN）熱模式原子層沉積爐管設(shè)備已通過國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路制造客戶的驗證。該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)超薄、無空隙的薄膜沉積，并且能夠精確控制薄膜厚度，達到原子級別的沉積精度。同時，該設(shè)備還能夠?qū)崿F(xiàn)精確的碳摻雜，從而提升薄膜的硬度和耐腐蝕性。此外，該設(shè)備還具有內(nèi)置的干法清潔功能，能夠確保顆粒的穩(wěn)定性。

（轉(zhuǎn)自：第三代半導體產(chǎn)業(yè)）

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