快科技9月3日消息，據南京發布公告，經過4年的自主研發，國家第三代半導體技術創新中心（南京），成功攻克溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造的關鍵技術。
這也是我國在這一領域的首次突破，打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。
溝槽型碳化硅MOSFET芯片因其卓越的性能，如更低的導通損耗、更好的開關性能和更高的晶圓密度，一直被視為半導體技術的前沿。
然而，由于碳化硅材料的高硬度和制備過程中的復雜性，溝槽型碳化硅MOSFET芯片的制造工藝一直是一個難題。
技術總監黃潤華指出，碳化硅材料的硬度非常高，制造溝槽型結構需要極高的刻蝕精度和損傷控制，這對碳化硅器件的研制和性能有著決定性的影響。
為此研發團隊通過不斷的嘗試和創新，最終建立了全新的工藝流程，解決了制造過程中的難點，成功制造出了性能更優的溝槽型碳化硅MOSFET芯片。
據黃潤華介紹，與平面型碳化硅MOSFET相比，溝槽型產品在導通性能上提升了約30%，這一技術突破預計將在一年內應用于新能源汽車電驅動、智能電網、光伏儲能等領域。
而且這一成果的應用還將為消費者帶來直接的好處，例如在新能源汽車中，使用碳化硅功率器件可以提升續航能力約5%，同時降低芯片使用成本。
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責任編輯：黑白
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