?運(yùn)營商財經(jīng) 康釗/文

近日，有消息稱華為公布了一項新專利，疑似有關(guān) EUV 光刻機(jī)技術(shù)，但這有啥含義呢？真能解決中國連一臺EUV光刻機(jī)都沒有的嚴(yán)重困境？

必須承認(rèn)，EUV光刻機(jī)是造成華為被卡脖子的重要原因——因為缺乏EUV光刻機(jī)，國內(nèi)的芯片代工廠就無法提升到7納米以上的制程；而國內(nèi)芯片代工廠無法生產(chǎn)7納米以上制程的芯片，就無法給華為代工5G芯片，因為華為的5G芯片是7納米或者5納米的，否則達(dá)不到相關(guān)性能。

所以，EUV光刻機(jī)不僅成了華為心中的痛，同時也是中國芯片業(yè)心中的痛。

華為最近申請的一項光刻裝置專利到底是什么呢？

據(jù)悉，華為確實申請了一種《反射鏡、光刻裝置及其控制方法》，而這種方法便能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎(chǔ)上進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)而達(dá)到勻光的目的。

EUV光刻機(jī)的中文名字就叫極紫外光刻，它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)，可使曝光波長一下子降到14納米以下的特征尺寸。

但問題是EUV光刻機(jī)非常復(fù)雜，不是申請幾項專利就夠的。一個EUV光刻機(jī)有10萬個零部件，還有，EUV光刻機(jī)還需要光刻膠等上下游產(chǎn)業(yè)鏈的配合，此外還需要測量臺與曝光臺（雙工件臺）、激光器、光速矯正器、能量控制器、光速形狀設(shè)置、遮光器、能量探測器、掩膜版、掩膜臺、物鏡、內(nèi)部封閉框架和減震器等11個模塊的組件。

即便華為的光刻機(jī)專利是全世界最先 進(jìn)的，沒有這些上下游產(chǎn)業(yè)鏈支持，也是白搭。尤其是光刻機(jī)上游最為核心設(shè)備分別為光學(xué)鏡頭、光學(xué)光源和雙工件臺。

上海微電子裝備股份有限公司曾披露，將在2021-2022年交付第一臺28nm工藝的國產(chǎn)的沉浸式光刻機(jī)。但是，到現(xiàn)在也沒人見過這臺國產(chǎn)光刻機(jī)，主要原因可能就是上海微電子光有技術(shù)不行，沒有配套的產(chǎn)業(yè)鏈幫助提供組件。

如今華為還是要低調(diào)，這要讓美國人知道，又要開始使壞水了。