快科技12月19日消息，據報道，俄羅斯已公布自主開發EUV（極紫外光刻）光刻機的路線圖，目標是比ASML的光刻機更便宜、更容易制造。

據悉，俄羅斯的自主光刻機采用11.2nm的激光光源，而非ASML標準的13.5nm。這種波長將與現有的EUV設備不兼容，需要俄羅斯開發自己的光刻生態系統，這可能需要十年或更長時間。

包括電子設計自動化（EDA）工具也需要進行更新。雖然現有EDA工具仍可完成邏輯合成、布局和路由等基本步驟，但涉及曝光的關鍵制程，如光罩數據準備、光學鄰近校正（OPC）和分辨率增強技術（RET），則需要重新校準或升級為適合11.2nm的新制程模型。

該項目計劃由俄羅斯科學院微結構物理研究所的Nikolay Chkhalo領導，目的是制造性能具競爭力且具成本優勢的EUV光刻機，以對抗ASML的設備。

Chkhalo 表示，11.2nm波長的分辨率提高了20%，可以提供更精細的細節，同時簡化設計并降低光學元件的成本。

這種調整顯著減少了光學元件的污染，延長了收集器和保護膜等關鍵部件的使用壽命。

俄羅斯的光刻機還可使用硅基光阻劑，預期在較短波長下將具備更出色的性能表現。 盡管該光刻機產量僅為ASML設備的37%，因為其光源功率僅3.6千瓦，但性能足以應付小規模芯片生產需求。

據報道，俄羅斯光刻機的開發工作將分為三個階段，第一階段將聚焦于基礎研究、關鍵技術識別與初步元件測試。

第二階段將制造每小時可處理60片200毫米晶圓的原型機，并整合至國內芯片生產線。

第三階段的目標是打造一套可供工廠使用的系統，每小時可處理60片300毫米晶圓。

目前還不清楚其光刻機將支持哪些制程技術，路線圖也未提到各階段完成的時間表。

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責任編輯：朝暉