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2024年10月10日，拉普拉斯新增“半導(dǎo)體概念”。
入選理由：招股說明書顯示,在具體產(chǎn)品方面,公司持續(xù)對高溫氧化設(shè)備和高溫退火設(shè)備進行開發(fā)與優(yōu)化,可適用于 SiC 基半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝;公司 LPCVD 設(shè)備可滿足氮化硅/氧化硅/多晶硅(Poly-Si)/非晶硅(α-Si)薄膜沉積技術(shù)的應(yīng)用需求,并適用于半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn)。
公司涉及的其他概念：太陽能。
免責聲明：本文基于AI生產(chǎn)，僅供參考，不構(gòu)成任何投資建議，據(jù)此操作風險自擔。
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