IT之家9月12日消息，據臺媒《經濟日報》報道，晶圓代工廠臺積電2nm制程將于2025年量產，市場看好進度可望領先對手三星及英特爾。
臺積電先進制程進展順利，3nm將在今年下半年量產，升級版3nm（N3E）制程將于3nm量產一年后量產，即2023年量產，2nm預計于2025年量產。
臺積電2nm廠將落地竹科寶山二期擴建計劃，“竹科管理局”已展開公共設施建設，臺積電2nm廠也開始進行整地作業。
臺積電2nm首次采用納米片架構，相較N3E制程，在相同功耗下頻率可提升10%至15%。在相同頻率下，功耗降低25%至30%。
臺積電總裁魏哲家日前在技術論壇中強調，臺積電2nm將會是密度最優、效能最好的技術。市場也看好，臺積電2nm進度將領先對手三星及英特爾。
IT之家了解到，此前消息稱，雖然在3nm世代略有保守，但無論如何，鰭片（Fin）寬度都已經接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸，所以外資法人預估臺積電2nm先進制程將采用環繞式閘極場效電晶體GAAFET高端架構生產2nm芯片。
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