西部數(shù)據(jù)、鎧俠聯(lián)合宣布了下一代3D NAND閃存的一些技術(shù)細(xì)節(jié)，這次堆疊到了218層。

新閃存包含四個(gè)平面(plane)，應(yīng)用了先進(jìn)的晶圓鍵合(wafer bonding)、橫向收縮(lateral shrink)技術(shù)，并在橫向收縮、縱向收縮方面取得平衡，存儲(chǔ)密度比上代提升超過(guò)50％，達(dá)到了1Tb(128GB)。

值得一提的是，西數(shù)、鎧俠開(kāi)發(fā)了新的CBA技術(shù)，也就是將CMOS直接鍵合在陣列之上(CMOS directly Bonded to Array)，每個(gè)CMOS晶圓、單元陣列晶圓都使用最適合的技術(shù)工藝獨(dú)立制造，再鍵合到一起，從而大大提升存儲(chǔ)密度、I/O速度。

是的沒(méi)錯(cuò)，妥妥的長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧Xtacing 3.0技術(shù)的既視感。

根據(jù)官方數(shù)據(jù)，新閃存的NAND I/O接口傳輸速度達(dá)到3.2Gbps，比上代提升多達(dá)60％，同時(shí)在寫入性能、讀取延遲方面改善了20％，整體性能、可用性再上新臺(tái)階。

再加上工藝、架構(gòu)方面的革新，成本方面也進(jìn)一步優(yōu)化。

閃存類型方面，TLC、QLC都可以。

不過(guò)，西數(shù)、鎧俠并未透露218層新閃存何時(shí)商用，會(huì)首先用在哪些產(chǎn)品上。

事實(shí)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年發(fā)布的晶棧3.0閃存就已經(jīng)做到了232層，還有2400MT/s I/O速度，并應(yīng)用于致態(tài)TiPlus7100 SSD系列，但因?yàn)槟愣脑驔](méi)有公開(kāi)宣傳。

去年7月份，美光第一家公開(kāi)了232層閃存，但受市場(chǎng)需求疲軟影響，官方稱暫時(shí)不會(huì)商用。

隨后，SK海力士宣布了238層堆疊，三星一般認(rèn)為做到了236層。

現(xiàn)在看來(lái)，NAND閃存這一輪的競(jìng)爭(zhēng)，西數(shù)、鎧俠不但速度最慢，反而還是最落后的了。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層閃存

美光232層閃存

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