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文/新智元
來源:新智元(ID:AI_era)
1000億美元芯片計(jì)劃,要重振英特爾往日雄風(fēng)!
路透稱,英特爾將投資200億美元建設(shè)2家芯片制造工廠,并計(jì)劃最終投資多達(dá)1000億美元。
新工廠的建設(shè)將于今年晚些時(shí)候開始,第一座晶圓廠將于2025年上線。
豪擲千億美元,建世界最大芯片工廠
最近,英特爾為了在芯片大戰(zhàn)中翻身,動(dòng)作頻頻。
據(jù)介紹,200億美元的先期投資是俄亥俄州歷史上最大規(guī)模的投資,將在新奧爾巴尼占地1000英畝(約合400公頃)的土地上創(chuàng)造3000個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。
未來,投資可能還會(huì)增至1000億美元,共建設(shè)8家制造工廠,也將是俄亥俄州有記錄以來最大的投資。
英特爾CEO蓋爾辛格表示,“此舉不僅是為了提高芯片產(chǎn)能,也是為了重振英特爾在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。”
目前,英特爾并沒有透露新晶圓廠將使用哪些制造技術(shù)。
很明顯,新工廠將有助于支持英特爾的 IDM 2.0 戰(zhàn)略。該戰(zhàn)略是CEO蓋爾辛格信任上臺(tái)后提出的首秀芯片戰(zhàn)略。
開啟半導(dǎo)體“埃米時(shí)代”
2021年7月,英特爾公布了有史以來最詳細(xì)的制程技術(shù)路線圖之一,展示了從現(xiàn)在到2025年乃至更遠(yuǎn)的未來。
從中可以看到,英特爾展現(xiàn)的工藝制成最后一步是Intel 20A,將于2024年開始量產(chǎn)。
那么,A是什么?還有人調(diào)侃,提升工藝制程最好的辦法,難道是改名字嗎?
這里的“A”指的是Angstrom。英特爾稱,
隨著行業(yè)越來越接近“1 納米”節(jié)點(diǎn),英特爾改變命名方式,以更好地反映全新的創(chuàng)新時(shí)代。具體而言,在 Intel 3 之后的下一個(gè)節(jié)點(diǎn)將被命名為 Intel 20A,這一命名反映了向新時(shí)代的過渡,即工程師在原子水平上制造器件和材料的時(shí)代——半導(dǎo)體的埃米時(shí)代。
Intel 20A將憑借什么技術(shù)才能開啟埃米時(shí)代?
英特爾給出了答案:RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術(shù)。
RibbonFET是英特爾對(duì)Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn),將成為英特爾自2011年率先推出FinFET以來的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。
該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度,同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流,但占用的空間更小。
其次,PowerVia 是英特爾獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò),通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號(hào)傳輸。
除了Intel 20A,更進(jìn)一步的 Intel 18A 節(jié)點(diǎn)也已在研發(fā)中,將于 2025 年初推出。
蓋爾辛格表示,“摩爾定律仍在持續(xù)生效。對(duì)于未來十年走向超越1nm節(jié)點(diǎn)的創(chuàng)新,英特爾有著一條清晰的路徑。我想說,在窮盡元素周期表之前,摩爾定律都不會(huì)失效,英特爾將持續(xù)利用硅的神奇力量不斷推進(jìn)創(chuàng)新?!?/p>
搶購最強(qiáng)光刻機(jī),“牙膏廠”捷足先登
有了長遠(yuǎn)布局,制造工廠,還得配備最先進(jìn)的光刻機(jī)。
盡管阿斯麥(ASML)最新型號(hào)的光刻機(jī)還未投產(chǎn),但英特爾已經(jīng)打錢預(yù)定了。
近日,ASML爆出其新一代高數(shù)值孔徑光刻機(jī)將于2025年首批供應(yīng)給英特爾,價(jià)格將達(dá)到3億美元,比現(xiàn)在最高端的EUV貴一倍。
這臺(tái)光刻機(jī)型號(hào)為High-NA量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)EXE:5200,將采用不同的鏡頭系統(tǒng),NA更大,是業(yè)界最強(qiáng)的光刻機(jī)。
據(jù)阿斯麥發(fā)言人稱,更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍,同時(shí)密度增加2.9倍。未來比3nm更先進(jìn)的工藝,將極度依賴高NA EUV光刻機(jī)。
作為制造芯片最先進(jìn)的設(shè)備,光刻機(jī)的先進(jìn)程度等直接決定了芯片的制程工藝。
目前來看,荷蘭的ASML幾乎壟斷了世界上的高端光刻機(jī),且產(chǎn)量非常少,價(jià)格貴。
自2017年ASML第一臺(tái)量產(chǎn)的EUV光刻機(jī)正式推出以來,三星的7nm/5nm工藝,臺(tái)積電的第二代7nm工藝和5nm工藝的量產(chǎn)都是依賴于0.55數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)來進(jìn)行生產(chǎn)。
美芯片法案,520億美元待敲定
有了光刻機(jī)還不夠,美國還要出臺(tái)法案支持造芯片。
路透稱,美眾議院將很快推出一項(xiàng)涉及520億美元的投資法案,以提高在這一方面美國對(duì)中國的競爭力。
美國眾議院議長佩洛西表示,法案已經(jīng)非常接近就緒。
同時(shí)她在一封信中指出,“眾議院立法將加強(qiáng)我們在芯片方面的投資,加強(qiáng)我們的供應(yīng)鏈并改變我們的研究能力,以及許多其他關(guān)鍵條款。”
然而,這不是美國在芯片方面的第一次布局。
2021年6月8日,美國國會(huì)參議院以68票贊成、32票反對(duì)的結(jié)果,通過了長達(dá)1400多頁《2021美國創(chuàng)新與競爭法案》。其中就有用于半導(dǎo)體、芯片和電信領(lǐng)域的540億美金。
而這些科研投入的一個(gè)重要目的就是——應(yīng)對(duì)中國的科技威脅。
1990年,美國占據(jù)著全球37%的半導(dǎo)體市場。隨著時(shí)間的推移,預(yù)計(jì)到2030年,美國將只占有全球10%的市場。
剩下的市場份額去哪里了呢?答案是包括中國在內(nèi)的外國競爭者。正因如此,美國為了維持自身的在該領(lǐng)域的壟斷地位,才推出了創(chuàng)新競爭法案,批準(zhǔn)了大量投資。
另外值得一提的是,除了大量投資,美國在該法案中所提出的禁止人才外流也是一個(gè)重點(diǎn),其強(qiáng)調(diào)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)和網(wǎng)絡(luò)安全。
該法案在提出獲批后,一年時(shí)間里因?yàn)榉N種原因停滯不前。此次美520億美元新投資將是去年創(chuàng)新與競爭法案的延續(xù)。
英特爾&臺(tái)積電&三星,三足鼎力
當(dāng)下,全球芯片競爭異常激烈,各國和各企業(yè)都想占據(jù)著半導(dǎo)體制造業(yè)的國際領(lǐng)導(dǎo)地位。作為未來的戰(zhàn)略技術(shù),美國的英特爾、中國臺(tái)灣的臺(tái)積電、韓國的三星都在紛紛布局。
英特爾=基業(yè)長青+長遠(yuǎn)布局
如今,因特爾的1000億美元建廠,將使本來在新技術(shù)領(lǐng)域平平淡淡的俄亥俄州,瞬間升級(jí)為一顆“硅中心”的耀眼新星。
對(duì)于俄亥俄州來說,這是一件大事,由此,它將被形容為“俄亥俄州版的加州硅谷”。
投資1,000億美元,占地1000英畝,花費(fèi)10年時(shí)間,這是一個(gè)很大的目標(biāo),也是英特爾近40年來首次在新制造基地破土動(dòng)工。
英特爾用其慧眼,構(gòu)筑偉大戰(zhàn)略,使其成為世界上最大的半導(dǎo)體制造企業(yè)之一。
“它不會(huì)對(duì)當(dāng)前的芯片危機(jī)產(chǎn)生任何影響。”分析師認(rèn)為,英特爾的投建計(jì)劃并不能用于解決今天的芯片短缺問題,因?yàn)檫@家芯片廠將于2025年才上線。
英特爾發(fā)言人威廉?莫斯表示,“我們的目標(biāo)是在未來10年投資1000億美元,但如果沒有聯(lián)邦政府的支持,這一目標(biāo)將很難在那段時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)。不過,最初的200億美元投資并不依賴聯(lián)邦補(bǔ)貼?!?/p>
英特爾還將大量資本用于勞動(dòng)力培訓(xùn),它計(jì)劃10年內(nèi)花費(fèi)1億美元用于半導(dǎo)體教育,包括培養(yǎng)高技能人才。
屆時(shí),隨著大批高技能人才輸出,英特爾表示,員工的平均年薪將達(dá)13.5萬美元(約85.6萬元)。
1968年誕生于美國硅谷的英特爾,從戈登·摩爾發(fā)明摩爾定律開始,走到今天以數(shù)據(jù)為中心傲然于世。
臺(tái)積電=資本+技術(shù)+工藝
2021年年底,臺(tái)積電正式提出2nm以及后續(xù)1nm晶圓廠的擴(kuò)建計(jì)劃,預(yù)計(jì)總投資金額將高達(dá)8000億至1萬億新臺(tái)幣(約1840-2300億元),占地近100萬平方米。
詳情參見本公眾號(hào)《新智元》,2021年12月31日發(fā)布文章,題為《臺(tái)積電1萬億投資建廠!第二個(gè)2nm工廠,劍指1nm》,鏈接:https://mp.weixin.qq.com/s/ViPF-hiAXDNbmyiMO5zPjw
臺(tái)積電,這家全球最大、技術(shù)最先進(jìn)的蝕刻芯片公司,在推動(dòng)芯片制造的同時(shí),還保持了老節(jié)點(diǎn)的穩(wěn)定和有利可圖的生產(chǎn)。
“臺(tái)積電本身就是一臺(tái)印鈔機(jī)”,基于臺(tái)積電的強(qiáng)勁發(fā)展與盈利情況,有文章甚至這樣評(píng)價(jià)。
那么,臺(tái)積電是如何做到這一切的呢?
資本支出與收入比十分穩(wěn)定
高級(jí)投資分析師塞巴斯蒂安?侯(Sebastian Hou)指出,如果臺(tái)積電在3年內(nèi)的資本支出增加1倍,臺(tái)積電的收入和利潤就會(huì)在5年內(nèi)增加1倍。
不過,臺(tái)積電首席執(zhí)行官衛(wèi)哲(CC Wei)和首席財(cái)務(wù)官黃文德(Wendell Huang)并不贊成將這種算法,“事情沒那么簡單”。
芯片制造設(shè)備和芯片本身的復(fù)雜性,以及獲得設(shè)備的前置時(shí)間正變得越來越長,這可能會(huì)在資本支出和收入產(chǎn)生之間產(chǎn)生更多的時(shí)間差。
不過,越來越提前的支付協(xié)議,幫助臺(tái)積電擁有更多的現(xiàn)金,從而可以進(jìn)行更大的投資。
將兩年前的資本支出乘以2,就可以預(yù)測臺(tái)積電今年的收入。比如:
2019年,臺(tái)積電資本支出149億美元,收入346億美元;
2020年,臺(tái)積電資本支出300億美元,收入568億美元;
數(shù)學(xué)是很有說服力的,臺(tái)積電的資本支出與收入之比接近1.0。
與英特爾不同,臺(tái)積電實(shí)際上擁有足夠的資金進(jìn)行代工投資。
“臺(tái)積電銀行里有很多錢,有能力繼續(xù)投資晶圓廠和基礎(chǔ)研究。”分析師認(rèn)為。
高性能計(jì)算的強(qiáng)勁推動(dòng)
所謂高性能計(jì)算,就是用于CPU、GPU、NPU等專用集成電路芯片。
臺(tái)積電的“高性能計(jì)算”業(yè)務(wù),大約在2018年才啟動(dòng),但高性能計(jì)算領(lǐng)域卻給臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)了很好的收入增長。
僅拿2021年Q4數(shù)據(jù)來看,蝕刻智能手機(jī)芯片的收入下降了8.4%,而高性能計(jì)算的銷售卻增長了26.7%。
全球首屈一指的工藝
在過去的3年里,臺(tái)積電可以收取來自工藝方面的溢價(jià)。
2021年Q4顯示,臺(tái)積電平均每12英寸晶圓的銷售額為4225美元,此前最高時(shí)還可達(dá)4566美元。
“技術(shù)領(lǐng)先使臺(tái)積電能夠抓住對(duì)世界先進(jìn)技術(shù)的強(qiáng)勁需求?!迸_(tái)積電首席執(zhí)行官衛(wèi)哲(CC Wei)說。
三星=大步國外+利用優(yōu)惠
2021年11月,三星將在美國德克薩斯州建設(shè)一個(gè)新的170億美元的芯片廠,備受全球關(guān)注。
泰勒市為三星在當(dāng)?shù)卦O(shè)廠提供了激勵(lì)措施,相當(dāng)于三星在頭10年享受超過90%的財(cái)產(chǎn)稅減免。
《華爾街日報(bào)》指出,新工廠占地約1,200英畝,比三星之前建在30英里之外的奧斯汀廠還要大。
作為存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域的巨頭,三星電子設(shè)備解決方案部門負(fù)責(zé)人Kinam Kim表示,在美國建芯片廠是“為全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定做貢獻(xiàn)”。
這家新工廠可以生產(chǎn)先進(jìn)的3納米芯片,曾為高通和英偉達(dá)的芯片制造商,三星的技術(shù)在不斷前進(jìn)。
美國政府積極支持本國芯片生產(chǎn)和創(chuàng)新,以試圖緩解全球芯片供應(yīng)鏈中斷,并努力扭轉(zhuǎn)幾十年來
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