新浪科技訊 北京時(shí)間6月17日早間消息，臺(tái)積電高管周四表示，臺(tái)積電將于2024年獲得荷蘭阿斯麥（ASML）下一代更先進(jìn)的芯片制造工具。

　　新的高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機(jī)用于在手機(jī)、筆記本電腦、汽車和智能音箱等設(shè)備中的計(jì)算機(jī)芯片上制造更先進(jìn)的微型集成電路。EUV是“極紫外線”的縮寫，這是阿斯麥光刻機(jī)使用的光的波長(zhǎng)。

　　臺(tái)積電研發(fā)高級(jí)副總裁米玉杰在硅谷舉行的臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)上表示：“臺(tái)積電將在2024年引入高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，以開發(fā)相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施和客戶所需的曝光解決方案，繼續(xù)推進(jìn)創(chuàng)新。”

　　高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)是第二代EUV光刻工具，可以用于制造尺寸更小、速度更快的芯片。米玉杰沒(méi)有透露，臺(tái)積電計(jì)劃何時(shí)將該設(shè)備用于芯片量產(chǎn)。此前臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾表示，將成為首家引入該設(shè)備的公司，并在2025年之前將其用于量產(chǎn)。

　　英特爾正在進(jìn)軍芯片代工業(yè)務(wù)，該公司將與臺(tái)積電爭(zhēng)奪芯片設(shè)計(jì)公司客戶。

　　臺(tái)積電負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)發(fā)展的高級(jí)副總裁Kevin Zhang則表示，臺(tái)積電到2024年還不會(huì)準(zhǔn)備好使用新光刻機(jī)，新光刻機(jī)將主要用于與合作伙伴一起的研究。

　　參加此次研討會(huì)的TechInsights芯片經(jīng)濟(jì)學(xué)家丹·哈切森（Dan Hutcheson）表示：“臺(tái)積電到2024年擁有新的光刻機(jī)，意味著他們將更快地獲得最先進(jìn)的技術(shù)。”“高數(shù)值孔徑EUV是下一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新，將確保臺(tái)積電的芯片技術(shù)處于領(lǐng)先地位。”

　　本周四，臺(tái)積電還公布了2納米芯片技術(shù)的更多細(xì)節(jié)。該公司表示，這類芯片仍將按原計(jì)劃，于2025年進(jìn)入量產(chǎn)。此外臺(tái)積電表示，已經(jīng)花15年時(shí)間研究所謂的“納米片”晶體管技術(shù)，以提高芯片的速度和能效，并將在2納米芯片中首次使用這種技術(shù)。