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　　國泰君安 許斌

　　結束單邊上行走勢，周三市場迎來了調整行情。早盤走勢相對強勁，盤中曾幾度上探至4300點，但好景不長，到了下午就在兩波明顯殺跌盤打壓下急速下探，最終指數跌破4200點，收于4182.74點。今日大盤走勢再度驗證了“政策頂”的說法，也為行情的發展增添了幾分謎局。我們認為，在大盤調整的區間內，緊跟基金步伐，追逐藍籌股才是資金避風的最佳場所，可留意華微電子(600360)，基金精選股，良好的基本面構筑公司投資底線，逢低可適當關注。

　　分立器行業龍頭

　　公司我國最大的功率

半導體專業生產企業，半導體產品尤其是芯片的制造方面居全國領先。華微電子被中國科學技術部、國務院國資委和中華全國總工會確定為首批 103家創新型試點企業之一，成為半導體行業唯一入選的企業。今后，公司將在承擔國家科技計劃項目以及地方重大科技項目、建立重點實驗室、工程中心等基地、運用政策性貸款等方面獲得更多的政策傾斜。

　　2006年度是華微電子高速成長，具有重要意義的一年。該年度里公司功率半導體器件業務實現銷售收入7.64億元，在賽迪顧問公司(CCID)公布的2006年國內功率半導體器件生產企業排名中位列第四，在以功率半導體器件制造為主的企業中排名第一，行業霸主地位無人可及。并且隨著網絡化和數字化的持續推進，以及新材料(GaN、SiC)和新技術(如微納米、MEMS、碳納米管)的不斷出現，半導體分立器件的功能日益增強，公司所處行業的廣闊前景為公司成長定下和諧的基調。

　　定向增發砸向高端

　　公司計劃非公開增發不超過3500萬A股，用于新型功率半導體器件生產線項目建設，項目定位半導體高端產業鏈條。本項目總投資為39345萬元，建設期為1.5年。項目計劃建設一條年生產能力為48萬片的六英寸新型功率半導體器件生產線，產品方向為垂直導電雙擴散MOS 功率晶體管(VDMOS)、絕緣柵雙極功率晶體管(IGBT)和功率集成電路(PIC)。經測算，項目建成后，正常生產年的稅后利潤可達8307萬元，投資內部收益率達17.35%，稅后靜態投資回收期為6.75年，具有良好的經濟效益。該項目的建設同時也體現了落實國務院“振興東北地區等老工業基地”政策的精神，使得項目前景更加光明。

　　“股權激勵+業績承諾”構筑價值底線

　　公司制定了周全的股權激勵機制，根據方案，公司授予激勵對象1500萬份

股票期權相應的，同樣也制定了嚴格的行權條件，授予條件是2006年-2009年的凈利潤不低于2005年的1.3、1.7、2.1和2.6倍；另外，在

股權分置改革時，大股東鄭重承諾：如果在2006年和2007年任何一個會計年度，公司的凈利潤較上一年增長低于30%，大股東將追加送股，總數為500萬股。在“股權激勵+業績承諾”雙重保障下，我們有理由相信，在未來三年時間里，公司經營層面將上一個不小的臺階。

　　更為重要的是，華微電子是基金重點關照對象，從一季報來看，其十大流通股東全部為基金。倡導價值投資理念的基金大力建倉該股，也成為公司良好基本面的佐證。盤面上，周三該股抵御住大盤跳水，最終收平，后市逢低可適當關注。

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