5G焦點

近日，一家名為大族激光的公司在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示，目前，公司光刻機(jī)項目主要應(yīng)用在分立器件領(lǐng)域，分辨率3-5μm；其中，接近式光刻機(jī)已投入市場，步進(jìn)式光刻機(jī)已啟動用戶優(yōu)化。一開始，這令不懂行的外界振奮，但懂行的業(yè)內(nèi)人士仍然笑不起來，因為接近式光刻機(jī)是很老的技術(shù)。

中國企業(yè)勇于研發(fā)光刻機(jī)，這值得夸贊，只有研發(fā)光刻機(jī)的企業(yè)越來越多，中國光刻機(jī)的技術(shù)水平才會越來越高。而且，低端的光刻機(jī)也是大有市場的。

此次大族激光宣布的接近式光刻機(jī)，又稱非接觸式光刻。是一種使涂敷在從片上的光敏材料，經(jīng)受穿過與其接近但不接觸的光學(xué)掩模版的光福照曝光，從而復(fù)印出光學(xué)掩模版圖形的方法。

其原理是：在接近式光刻 中，會連續(xù)復(fù)制整個硅片圖形，掩模版不與光刻膠直接接觸。它與光刻膠表面接近，在掩模版和硅片表面光刻膠之間大約有2.5~25微米的間距 。光源產(chǎn)生的是被準(zhǔn)直的，光束彼此平行。

接近式光刻機(jī)出現(xiàn)的年代太早了。70年代初，美、日等西方國家分別研制出多種型號的接近式光刻機(jī)，為了適應(yīng)我國大規(guī)模集成電路制造技術(shù)當(dāng)前的發(fā)展需要，1978年，中科院半導(dǎo)體所開始研制JK-1型半自動接近式光刻機(jī)。

接近式光刻機(jī)之后是第三代的掃描投影式光刻機(jī)，在這種技術(shù)下光學(xué)曝光分辨率增強(qiáng)得到了突破，將光刻推向了深亞微米和百納米級別。

第四代是步進(jìn)式掃描投影光刻機(jī)，第五代是EUV光刻機(jī)，就是現(xiàn)在各國追求的尖端光刻機(jī)。

從第三代光刻機(jī)開始，我國光刻機(jī)技術(shù)就全面落后于歐美，這其中很大原因就是美國的技術(shù)封鎖，比如國外工藝線已用0.5m的機(jī)器的時候，卻只對我國出口1.5m的機(jī)器，整整差了三代。

此外，在80年代，巴統(tǒng)規(guī)定對我國出口的DSW光刻機(jī)，鏡頭NA必須小于0.17，即只能有2m以上的分辨率。

而如今，美國又想重演這一幕，想聯(lián)合盟友對中國光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)行封殺，拖慢中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)程。但時代不一樣了，中國的高科技研發(fā)能力已今非昔比。

荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML曾嘲笑中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)：“就是給全套圖紙，中國人也造不出光刻機(jī)來。”歷史會證明這是個笑話。