SK海力士開發出238層NND閃存芯片 明年上半年量產

SK海力士開發出238層NND閃存芯片 明年上半年量產
2022年08月03日 06:18 新浪科技

  新浪科技訊 北京時間8月3日消息,韓國SK海力士(SK Hynix)已經開發出238層NAND閃存芯片,它可以用于PC存儲設備、智能手機和服務器。上周美光也開始出貨232層NAND閃存芯片。

  SK海力士宣稱新的238層芯片是最小的NAND閃存芯片,數據傳輸速度相比上代產品提升50%,讀取數據消耗的能量降低21%。SK海力士準備于2023年上半年開始大規模生產新芯片。

  英特爾NAND業務被SK海力士收購后更名為Solidigm,它與SK海力士合計占有全球NAND閃存市場的18%,僅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。(星海)

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