財聯社7月25日電，三星電子25日在京畿道華城廠區內的極紫外光刻（EUV）專用V1生產線舉行了適用新一代全環繞柵極（簡稱GAA）技術的3納米芯片產品出廠紀念活動。據介紹，三星電子將首次把3納米GAA工藝用于高性能計算機群（HPC），并計劃與主要合作商攜手將其擴至移動系統級芯片（SoC）等多種產品群。三星電子計劃繼華城廠區之后，在平澤廠區也投入量產GAA3納米芯片。 (韓聯社)
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