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本報訊(記者 尹永強)在昨日開幕的第七屆中國國際高新技術成果交易會上，由高交會組委會、國家半導體照明工程攻關計劃重大項目管理辦公室、深圳市科技和信息局主辦，方大(000055)具體承辦的“LED背光源技術及其應用研討會”順利舉行。這標志著，方大在我國半導體照明領域的突出成就已得到了國家主管部門及同行業的高度認可。
據悉，半導體是繼白熾燈、熒光燈之后的第三代照明光源，而LED又是第三代的半導
體照明材料，具有節能、壽命長、體積小、環保無污染等特性，屬于國家重點扶持和鼓勵的高科技“綠色照明產品”。科技部副部長馬頌德、國家半導體照明辦公室主任吳玲等，均對方大在此領域的突出科技成果表示了贊許。
研討會上，來自清華大學、南京大學、深圳大學和方大等的專家、學者，圍繞LED背光源技術水平、產業現狀及其應用前景進行了深入探討，國家半導體照明工程專家組成員、方大半導體事業部總經理李剛分析了LED背光源技術現狀和前景，詳細介紹了方大在大功率芯片及其在背光源技術應用方面的研究成果。
據方大董事會秘書周志剛介紹，作為國內第一家大規模生產半導體發光材料和芯片的上市公司，方大經過近兩年的努力已取得了半導體照明關鍵技術的突破，如在國內首次研制成功、并擁有自主知識產權的大功率高亮度半導體芯片，其單燈發光效率已達到國外先進公司2005年商用產品的指標。
目前，方大的半導體照明技術和產品已在各種特殊照明場合，以及各種便攜式、臺式、袖珍式照明設備和工具上得到廣泛應用，獲得良好的市場反饋。
2004年，方大實施深圳市高新技術示范化工程項目建設，順利完成技術的全面產業化，建成了氮化鎵(GaN)基半導體照明規模化生產基地，形成了一條從氮化鎵(GaN)基LED外延生長到芯片制造直至終端市場推廣應用等的完整高技術產業鏈，并于最近通過了深圳市發展和改革局的驗收。目前，公司已具備每月制造4000萬余顆以上的標準發光芯片及100萬顆大功率半導體照明芯片的能力，成為國內主要生產和研發基地之一。
方大表示，將運用其在半導體照明材料和芯片技術及產品領域的特長與優勢，結合自主發明的新型大功率芯片封裝技術，進一步開展LED背光源技術及其應用的研究與開發，積極參與國家半導體照明發展路線圖的規劃，為國家半導體照明事業做出新的貢獻。
方大A昨日收盤價5.69元，漲0.53%。
(證券時報)
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