圖片來源：三星

　　記者 | 彭新

　　6月30日，三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，是全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司。

　　三星稱，與前幾代工藝使用FinFET技術(shù)不同，三星使用的全環(huán)繞柵極（gate-all-around， GAA）晶體管技術(shù)，使新開發(fā)的第一代3納米工藝可以降低45%的功耗，性能提高23%，并減少16%的面積。

　　納米為一米的十億分之一，是處理芯片時(shí)常用的晶體管寬度單位。這個(gè)數(shù)字越小，芯片制程就越先進(jìn)，也越容易提高性能。三星預(yù)計(jì)，在下一階段芯片性能會(huì)提高，功耗和產(chǎn)品尺寸還將進(jìn)一步下降。

　　三星并未公布首發(fā)客戶名單，也沒有詳細(xì)說明新芯片的產(chǎn)量，但市場(chǎng)傳出三星3納米制程最初客戶有上海磐矽半導(dǎo)體和高通等公司。

　　在晶圓代工市場(chǎng)，主要為臺(tái)積電和三星兩家公司競(jìng)爭(zhēng)，而臺(tái)積電仍居于主導(dǎo)地位，占全球晶圓代工營(yíng)收的一半以上，也是iPhone、iPad等產(chǎn)品處理器的獨(dú)家供貨商。

　　至于臺(tái)積電3納米制程進(jìn)展，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音曾在本月初的股東會(huì)上提及，先進(jìn)制程的進(jìn)展都按照計(jì)劃發(fā)展中，預(yù)計(jì)下半年將量產(chǎn)3納米芯片。

　　與三星不同的是，臺(tái)積電將采用較為成熟的FinFET（Fin Field Effect Transistor，F(xiàn)inFET）工藝，一直到2025年量產(chǎn)2納米芯片時(shí)，才會(huì)采用GAA技術(shù)。另有報(bào)道稱，蘋果和英特爾正在測(cè)試臺(tái)積電的3納米制程工藝。這也意味著，三星、臺(tái)積電將用不同架構(gòu)設(shè)計(jì)的3納米制程進(jìn)行對(duì)決。

　　目前三星也在開發(fā)3納米乃至2納米所需的第二代技術(shù)，聲稱相關(guān)技術(shù)能使晶片效能較7納米時(shí)提高35%、面積減少45%，功耗降低五成。