華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片
-基于中芯國際55納米低功耗嵌入式閃存平臺
上海2014年8月4日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯交所股票代碼：981）與北京中電華大電子設計有限責任公司（“華大電子”）共同宣布，華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片，該芯片采用中芯國際55納米低功耗（LL）嵌入式閃存（eFlash）平臺，具有尺寸小、功耗低、性能高的特點，目前已實現量產供貨，其優良性能得到客戶的廣泛認可。
中芯國際的55納米低功耗嵌入式閃存平臺，可為智能卡芯片客戶提供一個兼具高性能和低成本的解決方案。該平臺具有完全的邏輯兼容性，所有1.2V邏輯庫IP皆可用于此嵌入式平臺；采用邏輯電壓更低的1.2V核心器件，可在最大程度上降低芯片功耗，提升產品性能；后段采用銅制程，由于銅的電遷移性可造成電阻性的改良，使現有設計能夠采用較高的電流密度，造就更佳的性能與可靠性；芯片面積有大幅縮減，更小的尺寸使大型閃存應用成為可能；隨著閃存單元的持續縮減，芯片面積將進一步優化，實現成本效益。目前，該技術平臺已通過產品可靠性測試，能夠滿足標準智能卡的應用需求。基于此平臺，華大電子成功地將中國第一款基于55納米先進工藝的智能卡芯片推向市場。
“華大電子始終致力于對新技術和新應用的探索，包括基于55納米工藝的模擬電路設計技術和系統設計技術，以及12英寸晶圓測試和減劃技術等，并將研究成果應用于產品開發，快速實現新產品的上市。”華大電子總經理董浩然表示，“此次與中芯國際在55納米智能卡芯片方面的成功合作，進一步鞏固了華大電子在國內該領域的領導地位，同時讓我們看到中芯國際在推動先進工藝發展方面所作的努力，其穩定和完整的工藝平臺給我們留下了深刻的印象，相信通過我們共同的努力可以為客戶提供低成本、低功耗、高可靠性和耐久性的產品。”
“中芯國際一直專注于為客戶提供差異化產品和高品質的制造服務，并憑借先進的工藝技術提供高度整合的平臺及高效能的解決方案，以更好地滿足客戶需求。” 中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云博士表示，“華大電子是中國智能卡芯片技術的推動者，我們很高興能夠成為其合作伙伴并幫助其推出領先的智能卡芯片產品。當前中國智能卡市場發展迅速，中芯國際將繼續深化與華大電子的合作，共同開拓市場，以先進的工藝平臺和完善的服務幫助客戶贏得更多的市場份額。”
