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美國國際商用機器公司（ＩＢＭ）和德國內存制造商英飛凌公司23日宣布，他們將和中國臺灣的旺宏公司合作，開發下一代存儲技術??相變存儲，著眼于“摩爾定律”之后的信息技術發展。
目前，包括計算機、消費電子產品等，應用的都是鐵氧體存儲技術，利用磁性的鐵氧體微粒在不同電場下指向不同，來表示二進制中的“0”和“1”。它要在加電狀態下才能實現數據讀寫，而且存儲信息的密度取決于鐵氧體微粒的大小。
“摩爾定律”曾預言，內存芯片的存儲密度和晶體管芯片的集成度類似，將大致每18個月翻一番。這樣用于存儲的鐵氧體微粒越來越小，到納米級后將表現出不同的特性，因此也會遇到“瓶頸”問題。
而相變存儲技術利用材料的相變特性，可望突破這一“瓶頸”。某些材料的結構在溫度等外界條件突變時會發生變化，使材料在晶體態和類似玻璃的無定形態之間轉換，這被稱為相變。
材料在不同狀態時反光率不同，如果晶體態代表“1”、無定形態代表“0”，用激光照射材料就可以讀取它相變時存入的信息。ＩＢＭ和英飛凌認為，相變存儲技術與鐵氧體存儲技術相比，存儲密度更大、速度更快、耗能也更少，而且具有不依賴外界電源的優勢，斷電時也可以實現信息讀寫。
三家公司計劃，投入20至25名研究人員從事相變存儲技術的長期研究，研究工作將主要在ＩＢＭ設于紐約和加利福尼亞圣何塞的實驗室進行。
另據報道，英特爾公司正在長期開發另一類相變存儲材料??奧弗辛斯基效應存儲材料，飛利浦公司也有相變存儲材料研發計劃。業內人士預測，20年內相變材料等新一代存儲材料將取代鐵氧體內存。
（信息來源：機械電子頻道子站）
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