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國際金融報記者 范俊 綜合報道
三星將成為半導體世界的新主宰，臺積電－聯電可能在2010年前合并，英特爾將變得不像現在這樣重要，AMD-IBM-Chartered將會出現大合并，瑞薩合并東芝，ST合并Freescale，Philips合并Infineon及Micron
美國著名的半導體新聞和分析媒體SiliconStrategies最近發布了2005年甚至更遠時間里全球半導體產業的12個預測。
1.IC產業庫存仍是問題。2004年半導體產業增長22.7%，2005年增長率為零。盡管單位出貨量將上升8%，但2005年IC市場的增長率將為零。目前的庫存修正問題將在2005年第一季度或者第二季度初得到緩解。
2.IC產業將大幅后退，IC設備市場下滑。2005年半導體制造設備產業形勢糟糕，因資本支出將會下降。目前預測2005年資本支出將比2004年減少12%。這個預測只是一個參考點。2004年IC制造設備市場增長50%，但2005年將下降20%。總體來看，2005年IC產業將大幅后退。在目前市況低迷之際，IC廠商仍在消化產能。
3.全球大量300毫米芯片廠投產。在未來兩年內，300毫米芯片廠的產能將上升64%，有26家新的300毫米芯片廠建成并投產。目前，37家正在運行中的300毫米芯片廠中約有1/3生產內存芯片，不到1/3的代工生產芯片，約有1/4在生產邏輯IC。產能最大的300毫米芯片廠是力晶半導體、聯電、三星和英飛凌擁有的那些工廠。
4.中國將興建更多的300毫米芯片工廠。宏力半導體計劃在中國興建一家300毫米芯片工廠，中芯國際目前正在建設一家300毫米芯片工廠，將有更多的公司結盟，并在中國興建更多的300毫米芯片工廠，如Hynix-意法半導體在中國興建合資300毫米芯片工廠。飛思卡爾和飛利浦也希望合作興建一家300毫米芯片工廠。
5.NAND市場競爭激烈。2005年新的NAND廠商將獲得可觀的市場份額，而現有廠商卻面臨威脅。在2004年第三季度，三星是最大的NAND閃存供應商，市場份額為54.2%，以下依次是東芝（29.2%）、瑞薩科技（9%）、Hynix（5.1%）、英飛凌（0.6%）和意法半導體（0.4%）。新加入NAND市場的廠商將會奪得市場份額，特別是Hynix將奪走其他廠商的市場，東芝和三星將繼續主導該市場，美國美光(MicronTechnology)也會大有斬獲。
6.NAND和NOR閃存仍將稱雄。SiliconStrategies的LaPedus認為，2005年下一代非易失性內存市場將表現低迷。雖然Altis、IBM、飛思卡爾、英飛凌和其他廠商都宣布推出了MRAM，但2005年MRAM的出貨量將接近于零。包括FRAM和OUM在內的其他技術，形勢也不會太好。這些新奇的內存芯片難以制造，傳統的NAND和NOR閃存仍將稱雄一段時間。
7.DVD芯片市場前景不妙。從2004年到2008年，包括DVD播放機和錄像機在內的總體DVD半導體銷售額將以11%的復合年增率增長，在2008年接近37億美元。DVD播放機半導體銷售額預計將以負21%的復合年增率增長，在2008年達到6.378億美元。DVD錄像機半導體銷售額預計將以39.1%的復合年增率增長，到2008年達到30億美元。目前中國控制經濟過熱、市場庫存過多以及其他問題，將會阻止DVD播放機和錄像機半導體銷售的增長，這種影響將會持續到2005年。
8.芯片代工廠商合并成潮。馬來西亞的兩個芯片代工廠商———1stSilicon(Malaysia)Sdn.Bhd.和SilterraMalaysiaSdn.Bhd.將于未來兩年內合并。數年來，這兩家廠商關于合并的談判時斷時續，但預計未來他們會少說多做。在未來兩年內，Mag鄄naChipSemiconductorLtd.可能會買下DongbuAnamSemiconductorLtd.。MagnaChipSemiconductorLtd.以前是HynixSemiconductorInc.的非內存部門。
9.IBM可能出售IC部門。在2010年底以前，IBM可能出售其微電子部門(MicroelectronicsDivision)，它只是一個非核心業務，而且耗費資源。IBM可能出售IC部門和工廠，并與芯片合作伙伴特許半導體成立一個合資企業。特許半導體是新加坡的一家芯片代工廠商。三星電子可能會成為IBM的一個合作伙伴。
10.硅芯片價格持平。單位出貨量增長8%至9%，價格下跌幅度不會超過1%至2%，硅芯片產業在下一個10年的年增長率將為7%。每年硅芯片價格下跌幅度將小于12%的年平均值。目前的300毫米芯片價格預計將保持在每平方英寸2.25美元左右，或者每個芯片250美元。
11.45納米工藝不會及時面世。面向45納米工藝的沉浸光刻(Immer鄄sionlithography)可能適時出現，但產業將繼續努力尋找一個像樣的高k解決方案。原子層沉積(ALD)和金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)不會準備就緒，能夠用于生產高k材料。金屬門、FUSI和其他技術是紙上談兵，將難以應用。小于2.5的低k將仍然是活動目標。45納米技術難以出現，預期45納米工藝將在2008年下半年面世。
12.巨頭合并半導體產業翻天覆地。主要半導體巨頭間即將上演兼并收購浪潮，全球半導體產業將發生翻天覆地的變化。三星將成為半導體世界的新主宰，臺積電－聯電可能在2010年前合并，英特爾將變得不像現在這樣重要，AMD-IBM-Chartered將會出現大合并，瑞薩合并東芝，ST合并Freescale，Philips合并Infineon及Micron，中芯國際和宏力半導體將成中國的發電機，TI－ADIBroadcom－Qualcomm合并成為fabless巨頭。
《國際金融報》 (2005年01月04日 第六版)
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