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盤口分析與主力追蹤:調(diào)整走勢(shì)，盤中浮籌涌出，主力暫無運(yùn)作跡象，短線難有作為。
個(gè)股資料:總股本29640萬(wàn)股，流通B股14537萬(wàn)股，每股凈資產(chǎn)：2.804元，2003年度每股收益0.036元，分配方案：2003年末期擬每10股派0.3元(含稅)。
市場(chǎng)傳聞:升級(jí)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)發(fā)展光電子材料。
基本面分析:公司經(jīng)營(yíng)范圍包括新型建材、復(fù)合材料等，報(bào)告期內(nèi)，公司投資建設(shè)的氮化鎵基集成電路（GaN-IC）項(xiàng)目進(jìn)展順利，方大福科公司生產(chǎn)的外延片產(chǎn)品質(zhì)量水平有了較大提高，產(chǎn)品達(dá)到國(guó)外同類產(chǎn)品水平，方大國(guó)科公司在國(guó)內(nèi)率先研制成功大功率型藍(lán)光LED芯片，并于五月份正式推向市場(chǎng)，由于該產(chǎn)品封裝后的LED器件具有功率大、發(fā)光效率高，能夠在大電流下工作的特性，可運(yùn)用于市場(chǎng)容量極大的照明市場(chǎng)，前景較為廣闊。公司的"氮化鎵基半導(dǎo)體材料及集成電路（一期）"項(xiàng)目再度被列為2003年深圳市重大建設(shè)項(xiàng)目，"氮化基半導(dǎo)體材料及集成電路（二期）"項(xiàng)目被列為2003年深圳市重大建設(shè)前期項(xiàng)目。報(bào)告期內(nèi)，公司計(jì)劃投入資金約2.5億元人民幣在江西省南昌國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)建設(shè)方大新材料科技園，將于今年八月正式動(dòng)工興建。公司的一種可制備大功率發(fā)光二極管的半導(dǎo)體芯片、采用多量子阱制備綠光氮化鎵基LED外延片等12項(xiàng)專利已申報(bào)并獲得受理，完成技術(shù)改造14項(xiàng)。本公司的技術(shù)中心正向國(guó)家經(jīng)貿(mào)委申請(qǐng)認(rèn)定國(guó)家級(jí)技術(shù)中心。報(bào)告期內(nèi)，"方大商標(biāo)被評(píng)為廣東省著名商標(biāo)，公司榮獲歐洲國(guó)際質(zhì)量與技術(shù)大獎(jiǎng)"白金獎(jiǎng)，被國(guó)家統(tǒng)計(jì)局認(rèn)定為最新全國(guó)大型工業(yè)企業(yè)之一。
操作建議:量能不足，暫不參與
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