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全球領先的高密度嵌入式存儲器存供貨商MoSys公司與全球領先的芯片代工廠之一--中芯國際集成電路制造有限公司日前共同宣布，MoSys公司的1T-SRAM-R技術(含TransparentErrorCorrection)成功通過中芯國際0.13微米制程驗證。此次驗證成功，使中芯國際能為其客戶提供另一種優質的高密度存儲器，從而擴展了兩公司之間現有的合作。
MoSys的0.13微米高密度1T-SRAM-R存儲器通過中芯國際的硅驗證，這可以給我們的客
戶提供通過中芯國際0.18及0.13微米邏輯制程驗證的特別存儲器技術。中芯國際市場銷售部副總宋建邁說。通過TEL1T-SRAM-R不僅可以使我們的客戶節省額外的產品開支，還能顯著地減少設計風險并且使用MoSys的獨特內存可以幫助客戶提高復雜的SoC設計能力。
資料顯示，MoSys公司成立于1991年，該公司在納斯達克掛牌，主要為半導體公司開發，轉讓，銷售先進的存儲器技術。MoSys獲得專利的1T-SRAM技術是高密度，低功耗，高速度與低成本的結合，這是其他現有的存儲器技術所無可比擬的。與傳統的4或6晶體管靜態存儲器相比，1T-SRAM存儲器里使用單一晶體管位單元使該技術在同樣的標準邏輯生產過程中具備更高的密度。上海證券報記者王璐
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