|
本報訊 索尼、東芝和NEC電子日前宣布，三方將聯合開發基于45納米工藝的新一代LSI（大規模集成電路）系統處理技術，協議有效期到2007年9月份。
隨著數碼消費、手機和通信領域應用的不斷發展，對復雜的大規模集成電路系統技術提出了更高的要求，例如，更快的數據處理速度、更小的功耗和芯片尺寸。為了滿足這些需求，處理技術的微型化變得越發關鍵和復雜。
目前，大多數半導體企業都已采用0.09微米工藝制造芯片，英特爾等一些廠商最近已經開始采用0.065微米工藝制造芯片。不過，前沿的大規模集成電路系統處理技術的發展需要研發資源的巨大投入。世界范圍內的許多半導體公司正緊密合作，致力于更加高效的研發。
此前，索尼和東芝曾宣布合作開發45納米大規模集成電路系統處理技術，并在位于日本橫濱的東芝“先進微電子中心”進行研發，而NEC電子和東芝也曾在2005年11月宣布雙方聯合開發45納米處理技術。
作為三方協議的結果，NEC電子的45納米開發隊伍將加入索尼和東芝正在進行的研發，并在“先進微電子中心”開展45納米技術的研發工作。通過整合三方的研發資源，NEC電子、索尼和東芝將提高開發效率、加速研發進程，更快地實現基于45納米工藝的大規模集成電路系統處理技術。
| 
