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新浪(行情 論壇)財經訊 美國東部時間12月6日09:01(北京時間12月6日22:01)消息，IBM(行情 論壇)日前宣布，該公司已經研發了一種可以將芯片中標準晶體管的性能提高三倍的技術，這一方法與傳統的CMO(行情 論壇)(行情 論壇)S技術相兼容，為實現芯片性能和電子系統性能的進一步提高邁出了重要一步。
這一技術主要是在晶體管的關鍵部位增加一層鍺，而那里正是電流通過的“通道”。
一直以來，人們都知道鍺比硅的導電性要強，IBM的這一技術將進一步提高芯片的性能。最近，半導體產業都希望通過提高晶體管的電流傳輸能力來改善電路的性能，其中一個例子就是很多公司所采用的硅層。鍺層的應用要比硅層更加有效，但是直到現在為止，大家還沒有找到將鍺層與傳統電路制作技術相結合的方法。現在，IBM證明的新方法可以使用與CMOS兼容的技術在芯片的某些部位鋪設鍺層。
在集成電路的關鍵部位引入鍺等新材料為提高芯片性能提供了新的方法，這在需要將芯片越做越小的今天顯的尤為重要。IBM相信，這種新技術可以進一步提高采用32納米及更小電路的芯片的性能。IBM計劃在即將于美國圣弗朗西斯科舉行的國際電子設備大會(IED(行情 論壇)M)上公布有關這一技術的詳細情況。(烈日）
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